[发明专利]导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件

权利要求书

1.一种导电性层叠体，其在透明基材的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体和金属层，所述金属层的材料为Ag或Cu，所述金属层在蚀刻中被去除而形成图案布线，

在所述透明导电性薄膜层叠体中，最接近所述金属层的第一透明导电性薄膜为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，

所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例在构成所述透明导电性薄膜层叠体的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例中不为最大，

构成所述透明导电性薄膜层叠体的所有的透明导电性薄膜为结晶膜，

第一透明导电性薄膜的厚度为1nm～17nm，透明导电性薄膜层叠体中的第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜的厚度的总和为9nm～34nm，透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。

2.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例在构成所述透明导电性薄膜层叠体的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例中为最小。

3.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述透明导电性薄膜层叠体中的杂质金属的含有比例最大的透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例与所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之差为0.005～0.23。

4.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述第一透明导电性薄膜中杂质金属的含有比例为0.08以下。

5.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述透明导电性薄膜层叠体中杂质金属的含有比例最高的透明导电性薄膜中杂质金属的含有比例为0.04～0.31。

6.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，相对于透明导电性薄膜层叠体的整体的厚度，所述第一透明导电性薄膜的厚度为6％以上。

7.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，构成所述透明导电性薄膜层叠体的所有的透明导电性薄膜的主金属为In。

8.根据权利要求7所述的导电性层叠体，其中，构成所述透明导电性薄膜层叠体的所有的透明导电性薄膜含有Sn作为杂质金属。

9.根据权利要求8所述的导电性层叠体，其中，所述第一透明导电性薄膜中的Sn相对于In的含有比例为0.08以下，除第一透明导电性薄膜以外的构成所述透明导电性薄膜层叠体的透明导电性薄膜整体中的Sn相对于In的含有比例为0.08～0.13。

10.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述透明导电性薄膜层叠体由如下的2层形成：所述第一透明导电性薄膜和形成在比所述第一透明导电性薄膜更靠近基材一侧的1层透明导电性薄膜。

11.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述第一透明导电性薄膜与所述金属层邻接。

12.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述透明基材为挠性薄膜。

13.一种带图案布线的透明导电性层叠体，其在透明基材上具有由图案化的多个透明电极形成的透明电极部和图案布线部，且图案布线部与各透明电极部连接，

所述图案布线部在透明基材上依次具有由至少2层的透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体和金属层，所述金属层的材料为Ag或Cu，所述金属层在蚀刻中被去除而形成图案布线，

所述透明电极部在透明基材上具有所述透明导电性薄膜层叠体，

在所述透明导电性薄膜层叠体中，最接近所述金属层的第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例在构成所述透明导电性薄膜层叠体的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例中不为最大，

构成所述透明导电性薄膜层叠体的所有的透明导电性薄膜为结晶膜，

第一透明导电性薄膜的厚度为1nm～17nm，透明导电性薄膜层叠体中的第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜的厚度的总和为9nm～34nm，透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。