[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件（1）的方法，包括以下步骤：

将杂质引入到碳化硅层（10）中；

通过从所述碳化硅层（10）的表面层部分选择性地移除硅，在所述表面层部分中形成碳层（81），其中所述碳化硅层（10）具有引入到所述碳化硅层（10）中的所述杂质；以及

通过加热所述碳化硅层（10）来活化所述杂质，其中所述碳化硅层（10）具有形成在所述碳化硅层（10）中的所述碳层（81）。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件（1）的方法，其中，在形成所述碳层（81）的步骤中，通过卤族元素与硅的反应来选择性地移除硅。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件（1）的方法，其中，在形成所述碳层（81）的步骤中，通过在包括包含卤族元素的气体的气氛中加热所述碳化硅层（10）来选择性地移除硅。

4.根据权利要求2所述的制造半导体器件（1）的方法，其中，在形成所述碳层（81）的步骤中，通过在包含卤族元素的等离子体中保持所述碳化硅层（10）来选择性地移除硅。

5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的制造半导体器件（1）的方法，进一步包括：在活化所述杂质的步骤之后，氧化并移除所述碳层（81）的步骤。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的制造半导体器件（1）的方法，其中，在活化所述杂质的步骤中，将所述碳化硅层（10）加热至不小于1600℃且不大于1900℃的温度范围。