[发明专利]感测电路有效
申请号: | 201280030437.9 | 申请日: | 2012-07-01 |
公开(公告)号: | CN103620684A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 金圣克;金吉苏;刘景昊;金正丕;升·H·康 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/12;G11C11/16;G11C11/26;G11C11/4091 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 | ||
1.一种电路,其包括:
退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管;
负载PMOS晶体管;以及
箝位晶体管,其经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储元件的电压进行钳制,
其中所述负载PMOS晶体管的栅极由与非NAND电路的输出控制,所述NAND电路具有响应于控制信号的第一输入和耦合到所述负载PMOS晶体管的端子的第二输入。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述PMOS晶体管的所述端子是源极端子。
3.根据权利要求1所述的电路,其进一步包括耦合在电压源与所述箝位晶体管的第一端子之间的升压晶体管。
4.根据权利要求3所述的电路,其中所述箝位晶体管的所述第一端子是漏极端子。
5.根据权利要求3所述的电路,其中响应于第二控制信号,所述升压PMOS晶体管经配置以将电流提供到所述箝位晶体管,且在所述感测操作期间切断到所述箝位晶体管的所述电流。
6.根据权利要求3所述的电路,其进一步包括感测放大器,所述感测放大器具有耦合到所述升压晶体管的输出的输入。
7.根据权利要求1所述的电路,其中所述箝位晶体管具有响应于或非NOR电路的输出的栅极,且其中所述NOR电路具有响应于第二控制信号的第一输入和耦合到所述箝位晶体管的第二端子的第二输入。
8.根据权利要求7所述的电路,其中所述箝位晶体管的所述第二端子是源极端子。
9.根据权利要求1所述的电路,其中所述箝位晶体管耦合到多路复用器MUX n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。
10.根据权利要求9所述的电路,其中预充电NMOS晶体管耦合到所述MUX NMOS晶体管的输出。
11.根据权利要求1所述的电路,其中所述基于电阻的存储元件包括串联地耦合到存储胞元内的存取NMOS晶体管的磁隧道结MTJ元件。
12.根据权利要求1所述的电路,其集成在至少一个半导体裸片中。
13.根据权利要求1所述的电路,其进一步包括选自由以下各项组成的群组中的装置:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元,以及计算机,所述电路的所述晶体管集成到所述装置中。
14.一种方法,其包括:
通过与非NAND电路的输出控制施加到负载p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管的栅极电压,所述NAND电路具有响应于控制信号的第一输入和耦合到所述负载PMOS晶体管的端子的第二输入,其中所述负载PMOS晶体管的所述端子进一步耦合到退化PMOS晶体管的输出;以及
响应于第二控制信号:
经由升压晶体管将电流提供到箝位晶体管;以及
在感测操作期间切断到所述箝位晶体管的所述电流。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述负载晶体管的所述端子是源极端子。
16.根据权利要求14所述的方法,其中控制所述栅极电压是在集成到电子装置中的处理器处执行。
17.一种设备,其包括:
用于响应于栅极电压而提供负载的装置,所述栅极电压经由与非NAND电路的输出控制,所述NAND电路包括响应于控制信号的第一输入和耦合到所述用于提供所述负载的装置的端子的第二输入;以及
用于在感测操作期间对施加到基于电阻的存储元件的电压进行钳制的装置,其中所述钳制装置耦合到所述用于提供所述负载的装置。
18.根据权利要求17所述的设备,其进一步包括响应于第二控制信号,用于经由升压晶体管将电流提供到箝位晶体管的装置。
19.根据权利要求17所述的设备,其中所述端子是源极端子。
20.根据权利要求17所述的设备,其集成在至少一个半导体裸片中。
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