[发明专利]结晶太阳能电池单元及结晶太阳能电池单元的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种结晶太阳能电池单元及结晶太阳能电池单元的制造方法。

背景技术

近年来，特别是从保护地球环境的观点来看，希望将太阳能转换为电能的太阳能电池单元作为下一代能源的期待急剧升高。在太阳能电池单元的种类中，具有使用化合物半导体的太阳能电池单元和使用有机材料的太阳能电池单元等各种太阳能电池单元，现在，使用硅晶体的结晶太阳能电池单元成为主流。

现在，制造及出售最多的结晶太阳能电池单元是在太阳光入射一侧的面（受光面）上形成有n电极，并且在与受光面相反一侧的面（背面）上形成有p电极的结构的双面电极型太阳能电池单元。另外，在结晶太阳能电池单元的受光面未形成电极而仅在结晶太阳能电池单元的背面形成n电极及p电极的背面电极型太阳能电池单元也正在进行研发。

例如，在日本专利文献1（特表2010－527147号公报）中记载了一种双面电极型太阳能电池单元，其在p型硅晶片的表面上形成有n型层，并且在p型硅晶片的背面依次形成有电介质层及势垒层，形成有通过开设于电介质层及势垒层的开口与背面的BSF层电连接的背面连接器。

在此，日本专利文献1记载的双面电极型太阳能电池单元如下所述地制造。首先，在p型硅晶片的表面上形成n型层。接着，在p型硅晶片形成电介质层及势垒层。接着，通过在势垒层的表面上涂敷蚀刻膏并加热，在电介质层及势垒层形成开口部。

之后，在p型硅晶片的背面的电介质层及势垒层的开口部涂敷铝膏并进行烧成。由此，制造出日本专利文献1中记载的双面电极型太阳能电池单元。

另外，例如，在日本专利文献2（特开2009－21494号公报）中记载了一种背面电极型太阳能电池单元，其在n型硅基板的背面形成有n+型杂质层区域和p+型杂质层区域，在n+型杂质层区域上形成有n型用电极，并且在p+型杂质层区域上形成有p型用电极。

在此，日本专利文献2中记载的背面电极型太阳能电池单元如下所述地制造。首先，在n型硅基板的背面形成n+型杂质层区域和p+型杂质层区域后，在n型硅基板的整个背面形成钝化膜。接着，在钝化膜的表面的一部分涂敷蚀刻膏，通过加热蚀刻膏来除去钝化膜。由此，使n+型杂质层区域及p+型杂质层区域分别从钝化膜露出。

之后，在n+型杂质层区域及p+型杂质层区域的露出面分别涂敷银膏并进行烧成。由此，在n+型杂质层区域上形成n型用电极，在p+型杂质层区域上形成p型用电极，从而制造出日本专利文献2中记载的背面电极型太阳能电池单元。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2010－527147号公报

专利文献2：日本特开2009－21494号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，在日本专利文献2所记载的背面电极型太阳能电池单元中，在利用与以往的双面电极型太阳能电池单元相同的烧成温度条件（约800℃）烧成银膏的情况下，由于n型硅基板背面的n+型杂质层区域的n型杂质、p+型杂质层区域的p型杂质向彼此的导电型区域扩散而彼此抵消，所以存在降低n+型杂质层区域及p+型杂质层区域的杂质浓度，而使背面电极型太阳能电池单元的特性降低的问题。

为了解决该问题，列举了降低银膏的烧成温度的方法以及缩短银膏的烧成时间的方法等，但是，在使用这些方法的情况下，存在降低n型硅基板与n型用电极及p型用电极之间的紧密接触性，而使烧成电极从n型硅基板剥离的问题。

上述问题不仅仅是背面电极型太阳能电池单元的问题，也是包括双面电极型太阳能电池单元在内的整个结晶太阳能电池单元的问题。也就是说，从降低考虑到制造成本或环境的制造能量、以及防止因基板变薄而增大影响的加热后的基板的变形所产生的破损等观点出发，谋求降低烧成电极形成时的烧成温度。

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种即使在低烧成温度下也能够抑制烧成电极的紧密接触性的降低的结晶太阳能电池单元及结晶太阳能电池单元的制造方法。

用于解决技术问题的技术手段

本发明提供一种结晶太阳能电池单元，其具有：半导体基板；设置于所述半导体基板的表面的杂质扩散区域；设置于所述半导体基板的表面上的钝化膜；设置于所述杂质扩散区域上的作为所述钝化膜的一部分的凸部或设置于所述钝化膜的凹部；以覆盖所述杂质扩散区域及所述凸部、或者所述杂质扩散区域及所述凹部的方式设置的烧成电极。

在此，在本发明的结晶太阳能电池单元中，优选的是，凸部的厚度在0.03μm以上、0.5μm以下。