[发明专利]多晶金刚石结构

权利要求书

1.一种PCD结构，该PCD结构包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域；所述第一区域包括多个交替的晶层或层，每个晶层或层的厚度在约5至300微米的范围内；所述第二区域包括多个晶层或层，所述第二区域中的一个或更多个晶层或层的厚度大于所述第一区域中的单独的晶层或层的厚度，其中所述第一区域中的交替的层或晶层包括与第二层或晶层交替的第一层或晶层，所述第一层或晶层处于残余压缩应力状态，并且所述第二层或晶层处于残余拉伸应力状态。

2.根据权利要求1所述的PCD结构，其中所述第一区域中的每个晶层或层的厚度在约30至300微米的范围内。

3.根据权利要求1所述的PCD结构，其中所述第一区域中的晶层或层的厚度在约30至200微米的范围内。

4.根据上述权利要求中任一项所述的PCD结构，其中所述第二区域中的晶层或层的厚度大于约200微米。

5.根据上述权利要求中任一项所述的PCD结构，其中所述第一区域包括两个或更多个不同的平均金刚石晶粒尺寸。

6.根据上述权利要求中任一项所述的PCD结构，其中所述第一区域包括三个或更多个不同的平均金刚石晶粒尺寸。

7.一种PCD结构，该PCD结构包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域；所述第一区域包括多个交替的晶层或层，所述第一区域中的每一个层或晶层的厚度在5至300微米的范围内；所述第一区域包括两个或更多个不同的平均金刚石晶粒尺寸。

8.一种PCD结构，该PCD结构包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域；所述第一区域包括多个交替的晶层或层，每一个晶层或层的厚度在约5至300微米的范围内。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的PCD结构，其中所述第一和/或所述第二区域中的每个晶层或层在整个所述晶层或层中具有基本上一致的金刚石晶粒尺寸分布。

10.根据上述权利要求中任一项所述的PCD结构，其中所述第一区域包括在使用中形成所述PCD结构的初始工作表面的外部工作表面。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的PCD结构，其中所述第一区域中的每个晶层或层的厚度在约30至300微米的范围内。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的PCD结构，其中所述第二区域的厚度大于在所述第一区域中的单独的晶层或层的厚度。

13.根据权利要求7或8中任一项所述的PCD结构，其中所述第二区域包括多个层或晶层。

14.根据权利要求13所述的PCD结构，其中所述第二区域中的层或晶层包括预定平均晶粒尺寸的金刚石晶粒。

15.根据权利要求14所述的PCD结构，其中所述第二区域中的所述金刚石晶粒的预定平均晶粒尺寸是第一区域中的金刚石晶粒的混合物中的金刚石晶粒的平均晶粒尺寸中的一个。

16.根据权利要求7至15中任一项所述的PCD结构，其中所述交替的层或晶层包括与第二层或晶层交替的第一层或晶层，所述第一层或晶层处于残余压缩应力状态，并且所述第二层或晶层处于残余拉伸应力状态。

17.根据上述权利要求中任一项所述的PCD结构，其中所述交替的层或晶层包括与第二层或晶层交替的第一层或晶层，所述第一层或晶层由具有三个或更多个不同平均金刚石晶粒尺寸的金刚石混合物形成，并且所述第二层或晶层由具有相同的三个或更多个平均金刚石晶粒尺寸的金刚石混合物形成，其中所述第一区域中的所述第一晶层或层与来自所述第一区域中的第二晶层或层的所述混合物中的金刚石晶粒具有不同尺寸比。

18.根据权利要求1至16中任一项所述的PCD结构，其中所述交替的层或晶层包括与第二层或晶层交替的第一层或晶层，所述第一层或晶层由具有第一平均晶粒尺寸的金刚石混合物形成，并且所述第二层或晶层由具有第二平均晶粒尺寸的金刚石混合物形成。