[发明专利]使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割

权利要求书

1.一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含数个集成电路，所述方法包含以下步骤：

形成遮罩于所述半导体晶片上方，所述遮罩覆盖且保护这些集成电路；

以激光刻划工艺将所述遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩，而暴露介于这些集成电路之间的所述半导体晶片的区域；

蚀刻所述半导体晶片通过所述图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路；及

将所述图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩的步骤包含以下步骤：将薄聚合物片黏附到这些集成电路。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄聚合物片对于这些集成电路是透明的且所述薄聚合物片具有约等于或小于50微米的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩的步骤包含以下步骤：沉积光阻剂层于这些集成电路上。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述图案化遮罩从这些单一化集成电路分离的步骤包含以下步骤：通过工艺物理性地移除该图案化遮罩，所述工艺选自由抬离工艺、滚离工艺或剥离工艺构成的群组。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以激光刻划工艺将所述遮罩予以图案化的步骤包含以下步骤：以飞秒基底的激光刻划工艺进行图案化。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩于所述半导体晶片上方的步骤包含以下步骤：形成适于忍受高密度等离子体蚀刻工艺的遮罩。

8.一种切割半导体晶片的系统，所述半导体晶片包含数个集成电路，所述系统包含：

工厂界面；

激光刻划设备，所述激光刻划设备和所述工厂界面耦接；

等离子体蚀刻腔室，所述等离子体蚀刻腔室和所述工厂界面耦接；及

沉积腔室，所述沉积腔室和所述工厂界面耦接，所述沉积腔室被配置成形成可物理性移除的遮罩。

9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述沉积腔室被配置成将薄聚合物片黏附到这些集成电路。

10.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述沉积腔室被配置成沉积光阻剂层在这些集成电路上。

11.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述等离子体蚀刻腔室与所述沉积腔室被容纳在群集工具上，所述群集工具和所述工厂界面耦接，所述群集工具还包含：

遮罩移除站或腔室。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述遮罩移除站或腔室被配置成通过工艺移除所述可物理性移除的遮罩，所述工艺选自由抬离工艺、滚离工艺或剥离工艺构成的群组。

13.一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含数个集成电路，所述方法包含以下步骤：

形成可物理性移除的遮罩于硅基板上方，所述可物理性移除的遮罩覆盖且保护设置在所述硅基板上的这些集成电路，这些集成电路包含二氧化硅层，所述二氧化硅层设置在低K材料层与铜层上方；

以激光刻划工艺将所述可物理性移除的遮罩、所述二氧化硅层、所述低K材料层与所述铜层予以图案化，以暴露这些集成电路之间的所述硅基板的区域；

蚀刻所述硅基板通过间隙，以形成单一化集成电路；及

将所述可物理性移除的遮罩从这些单一化集成电路分离。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，以激光刻划工艺将所述可物理性移除的遮罩、所述二氧化硅层、所述低K材料层与所述铜层予以图案化的步骤包含以下步骤：在烧熔所述二氧化硅层之前烧熔所述可物理性移除的遮罩，以及在烧熔所述低K材料层与所述铜层之前烧熔所述二氧化硅层。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，形成所述可物理性移除的遮罩的步骤包含以下步骤：将薄聚合物片黏附到这些集成电路。