[发明专利]感测电路

权利要求书

1.一种电路，其包括：

退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管；

负载PMOS晶体管；以及

箝位晶体管，其经配置以在感测操作期间对到基于电阻的存储器元件的电压进行箝位操作；

其中所述负载PMOS晶体管的栅极由运算放大器的输出来控制，所述运算放大器具有响应于控制电压的第一输入以及耦合到所述负载PMOS晶体管的源极端子并耦合到所述退化PMOS晶体管的漏极端子的第二输入。

2.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括感测放大器，所述感测放大器具有耦合到所述负载PMOS晶体管的输出的输入。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述箝位晶体管耦合到多路复用器n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，且其中所述箝位晶体管耦合到第二运算放大器。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述基于电阻的存储器元件包括串联耦合到存储器单元内的存取晶体管的磁性隧道结MTJ元件。

5.根据权利要求1所述的电路，其集成在至少一个半导体裸片中。

6.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括选自由机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机组成的群组的装置，所述电路的所述晶体管集成到所述装置中。

7.一种方法，其包括：

通过运算放大器的输出来控制施加到负载p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管的栅极电压，所述运算放大器具有响应于控制电压的第一输入以及耦合到所述负载PMOS晶体管并耦合到退化PMOS晶体管的第二输入。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二输入耦合到所述负载PMOS晶体管的源极端子并耦合到所述退化PMOS晶体管的漏极端子。

9.根据权利要求7所述的方法，其中在集成到电子装置中的处理器处执行控制所述栅极电压。

10.一种设备，其包括：

用于响应于栅极电压而提供负载的装置，所述栅极电压经由运算放大器的输出来控制，所述运算放大器具有响应于控制电压的第一输入和耦合到所述用于提供所述负载的装置的源极端子的第二输入；以及

用于在感测操作期间对施加到基于电阻的存储器元件的电压进行箝位操作的装置，其中所述用于进行箝位操作的装置耦合到所述用于提供所述负载的装置的漏极端子。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二输入耦合到所述用于提供所述负载的装置的源极端子。

12.根据权利要求10所述的设备，其集成在至少一个半导体裸片中。

13.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括选自由机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机组成的群组的装置，所述用于提供的装置和所述用于进行箝位操作的装置集成到所述装置中。

14.一种方法，其包括：

用于将第一输入提供到运算放大器的步骤，其中所述第一输入响应于控制电压；

用于将第二输入提供到所述运算放大器的步骤，其中所述第二输入耦合到负载p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管并耦合到退化PMOS晶体管；以及

用于通过所述运算放大器的输出来控制施加到所述负载PMOS晶体管的栅极电压的步骤。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二输入耦合到所述负载PMOS晶体管的源极端子并耦合到所述退化PMOS晶体管的漏极端子。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述用于提供所述第一输入的步骤、所述用于提供所述第二输入的步骤以及所述用于控制所述栅极电压的步骤由集成到电子装置中的处理器执行。

17.一种存储指令的计算机可读有形媒体，所述指令可由处理器执行以：

通过运算放大器的输出来控制施加到负载p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管的栅极电压，所述运算放大器具有响应于控制电压的第一输入以及耦合到所述负载PMOS晶体管并耦合到退化PMOS晶体管的第二输入。