[发明专利]导电膜形成方法、导电膜、绝缘化方法以及绝缘膜

说明书

技术领域

本发明涉及透明导电膜，其可用于例如液晶显示器、等离子显示器、有机EL显示器等的显示面板、触控面板、或太阳能电池等光电设备的透明电极。

背景技术

例如，已知在透明衬底上设置有由铟锡氧化物（ITO）等构成的透明导电膜的透明导电膜衬底。这种衬底，例如用于液晶显示器、等离子显示器、有机EL显示器等的显示面板。或者用于触控面板。或者用于太阳能电池等。除此以外，可以在各种领域中使用。并且，透明导电膜被形成为希望的图案。作为该图案的形成方法，一般采用化学蚀刻法（使用光致抗蚀剂、蚀刻液的光刻法）。

然而，该化学蚀刻的方法，需要被称作为光致抗蚀剂膜成膜工序（在衬底的整面上已成膜的ITO膜上涂布光致抗蚀剂涂料）→光致抗蚀剂膜图案化工序（通过曝光显影，将光致抗蚀剂膜成形为规定图案）→ITO膜蚀刻工序（将规定图案的光致抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻ITO膜）→光致抗蚀剂膜除去工序等多个工序。并且，对于该化学蚀刻的方法而言，因光致抗蚀剂膜在溶液中的膨胀而导致蚀刻精度下降，并且在蚀刻液的使用操作、废液处理方面存在问题。

作为解决该问题的方法，提出了通过直接对导电膜照射激光，由此除去不需要部分的激光烧蚀法。该方法不需要光致抗蚀剂，且能够进行高精度的图案化。

然而，该方法中可适用的基材受到限制。此外，工艺成本高，处理速度慢。因此，其并非适合于量产工艺的方法。

作为不需要光刻工序的化学蚀刻技术，提出了“氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物在用于蚀刻氧化物表面的组合物中作为蚀刻成分的应用”、“氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物在糊料形态的组合物中作为蚀刻成分的应用，该组合物用于显示器技术（TFT）、太阳光发电、半导体技术、高性能电子技术、矿物学或玻璃工业中OLED照明、OLED显示器的制造、光电二极管的制造以及用于平板显示屏用途（等离子显示器）的ITO玻璃的构建”、“一种糊料形态的可印刷的组合物，用于氧化物层的蚀刻，其含有a）作为蚀刻成分的氯化铁（III）或氯化铁（III）六水合物、b）溶剂、c）任选含有的均匀溶解的有机增稠剂、d）任选含有的至少一种无机酸和/或有机酸、以及任选含有的_e）添加剂，例如消泡剂、触变剂、流动控制剂、脱气剂、助粘剂”（日本特表2008-547232号公报）。

并且提出了“用于蚀刻氧化物的透明导电层的蚀刻介质，其含有由磷酸或其盐或磷酸加成物，或磷酸与磷酸盐和/或磷酸加成物的混合物构成的至少一种蚀刻剂”、“用于蚀刻氧化物的透明导电层的方法，其特征在于将所述蚀刻介质用于通过印刷工序进行蚀刻的衬底”（日本特表2009-503825号公报）。

然而，对于日本特表2008-547232号公报、日本特表2009-503825号公报的技术而言，难以在面内均匀地进行蚀刻。因此，会发生蚀刻不均。

另外，对于透明导电膜，除了ITO制的透明导电膜以外，还已知有碳纳米管制透明导电膜。碳纳米管是直径为1μm以下粗细的管状材料。碳六角网格面与管轴平行地形成管的碳纳米管是理想的。此外，该管也可能为多壁的构成。碳纳米管根据由碳所形成的六角网格的连接方式、管的粗细而表现出金属或半导体的性质。因此，其作为功能材料而受到期待。然而，根据碳纳米管的构成、制造方法，其粗细方向是随机的。因此，在利用时，有时需要在合成后回收、纯化，并进行适于利用形式的处理。作为将这种碳纳米管图案化的方法，提出了以下方法（日本特表2006-513557号公报、日本特表2007-529884号公报（国际公开WO2005/086982号小册子））。例如，在衬底表面上涂布碳纳米管分散液，形成碳纳米管被膜。将粘合剂溶液以规定图案涂布在该碳纳米管被膜上。然后，干燥溶剂。由此，粘合剂残留在碳纳米管被膜中，使碳纳米管的网络得到强化。然后，用不溶解粘合剂的溶剂洗涤衬底。由此，形成了仅残留存在粘合剂（涂布有粘合剂）的部分的图案。也可以使用光致抗蚀剂材料代替粘合剂。也就是说，在碳纳米管被膜上涂布含有光致抗蚀剂的涂料。由此，在碳纳米管的网络中含浸光致抗蚀剂。然后，使用光刻法形成为规定图案。或者还可以列举采用丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷等涂布方法直接在衬底上形成预先图案化的碳纳米管被膜的方法。