[发明专利]固体摄像元件以及摄像装置有效
申请号: | 201280031195.5 | 申请日: | 2012-06-26 |
公开(公告)号: | CN103620782A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 薄田学;斋藤繁;田中圭介;小野泽和利 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/369 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 以及 装置 | ||
1.一种固体摄像元件,具有被排列成二维状的单位像素,该单位像素具有受光元件和聚光元件,所述固体摄像元件的特征在于:
所述聚光元件具有同心结构的多个光透过膜并具有由所述多个光透过膜的组合所控制的有效折射率分布,所述同心结构的多个光透过膜以射入所述受光元件的光的波长以下的线宽被分离,并以相对于所述聚光元件的受光面垂直方向的轴为中心,
所述同心结构的多个光透过膜的外缘的形状在所述受光面上为,与所述同心结构的中心最近的所述光透过膜呈正圆、与所述同心结构的中心远离的所述光透过膜呈椭圆,
所述椭圆的长轴相对于短轴的比率为,越是与所述同心结构的中心远离的所述光透过膜的外缘的形状,所述比率越高,
多个所述单位像素各自的所述椭圆的长轴方向,在所述受光面上,与连接多个所述单位像素各自的所述同心结构的中心和所述固体摄像元件的中心的矢量相正交。
2.如权利要求1所述的固体摄像元件,
所述固体摄像元件的中心的所述单位像素的所述同心结构的中心,在所述受光面上,与所述单位像素的中心一致,
与所述固体摄像元件的中心远离的所述单位像素的所述同心结构的中心,在所述受光面上,从所述单位像素的中心向所述固体摄像元件的中心偏离,
所述偏离的量,越是与所述固体摄像元件的中心远离的所述单位像素越大。
3.如权利要求1所述的固体摄像元件,
所述聚光元件在所述受光面上的所述有效折射率分布是,有效折射率以所述同心结构的中心为顶点,并从所述同心结构的中心开始随着距离而呈抛物线状减少的分布,
所述聚光元件在所述受光面上的所述椭圆的短轴方向的所述有效折射率分布,具有从所述同心结构的中心开始与距离的4乘方成比例地减少的分布偏倚。
4.如权利要求1所述的固体摄像元件,
所述聚光元件构成层内透镜。
5.一种摄像装置,具备如权利要求1至4的任一项所述的固体摄像元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的