[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：

基板；

半导体层层叠体，包括依次形成在上述基板上、开设有凹槽部的第1氮化物半导体层、比该第1氮化物半导体层带隙大且形成在上述第1氮化物半导体层的凹槽部以外的区域中的第2氮化物半导体层、以及包括上述凹槽部的内壁将上述第1及上述第2氮化物半导体层覆盖而层叠、比该第1氮化物半导体层带隙大的第3氮化物半导体层；

栅极电极，在上述凹槽部的上层形成在第3氮化物半导体层上；

第1欧姆电极及第2欧姆电极，分别形成在上述栅极电极的两侧方。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

上述第2氮化物半导体层的带隙比第3半导体层大。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

上述第3氮化物半导体层的带隙比第2氮化物半导体层大。

4.如权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

上述第3氮化物半导体层由带隙不同的2层以上的多个氮化物半导体层构成。

5.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

在上述第3氮化物半导体层与上述栅极电极之间夹着p型的第4氮化物半导体层。

6.如权利要求1～5中任一项所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

上述第1氮化物半导体层的凹槽部底部比上述第2氮化物半导体层与上述第1氮化物半导体层的界面深0.5nm以上。

7.一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：

基板；

半导体层层叠体，包括依次形成在上述基板上的、上表面的一部分为凸形状的第1氮化物半导体层、以及包括上述第1氮化物半导体层的凸部将上述第1氮化物半导体层的上表面覆盖而层叠、比上述第1氮化物半导体层带隙大且上表面平坦的第2氮化物半导体层；

栅极电极，在上述第2氮化物半导体层的上表面上，形成在上述第1氮化物半导体层的凸形状的上方的位置上；

第1欧姆电极及第2欧姆电极，在上述第2氮化物半导体层的上表面上，分别形成在上述栅极电极的两侧方。

8.如权利要求7所述的氮化物半导体装置，其特征在于，

在上述第2氮化物半导体层与上述栅极电极之间夹着p型的第5氮化物半导体层。

9.一种氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

准备基板；

在上述基板之上形成第1氮化物半导体层；

在上述第1氮化物半导体层之上，层叠比该第1氮化物半导体层带隙大的第2氮化物半导体层；

设置将上述第2氮化物半导体层贯通、底部达到第1氮化物半导体层的凹槽部；

层叠比该第1氮化物半导体层带隙大的第3氮化物半导体层，以包括上述凹槽部的内壁而将第2氮化物半导体层覆盖；

在上述凹槽部的两侧方分别形成第1欧姆电极及第2欧姆电极；

在上述凹槽部的上层，在第3氮化物半导体层上形成栅极电极。

10.如权利要求9所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述第3氮化物半导体层由带隙不同的2层以上的多个氮化物半导体层构成。

11.一种氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，

准备基板；

在上述基板的上表面上形成第1氮化物半导体层；

进行蚀刻以使上述第1氮化物半导体层的上表面的一部分成为凸形状；

在上述第1氮化物半导体层的上表面上形成比上述第1氮化物半导体层带隙大、上表面平坦的第2氮化物半导体层，以将上述凸形状覆盖；

在上述第2氮化物半导体层的上表面上，在上述第1氮化物半导体层的凸形状的两侧的区域的上方的位置上分别形成第1欧姆电极及第2欧姆电极；

在上述第2氮化物半导体层的上表面上，在上述第1氮化物半导体层的凸形状的上方的位置上形成栅极电极。