[发明专利]太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

基板；

在所述基板上的背电极层；

在所述背电极层上的光吸收层；

在所述光吸收层上的包括ZnS的缓冲层；以及

在所述缓冲层上的窗口层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述缓冲层的厚度在25nm至35nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，在所述缓冲层中的硫（S）的密度从所述缓冲层的下部向上部逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述缓冲层具有六方晶系。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述缓冲层的上部被表示为化学式ZnS(O,OH)。

6.一种制备太阳能电池的方法，所述方法包括：

在基板上形成背电极层；

在所述背电极层上形成光吸收层；

通过向所述光吸收层上注入Zn前体和S前体，来经由MOCVD方案在所述光吸收层上形成包括ZnS的缓冲层；以及

在所述缓冲层上形成窗口层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述Zn前体包括TEZn、R₂Zn和R₂ZnNEt₃中的至少一种，并且所述S前体包括叔丁基硫醇（t-BuSH）、R₂S、RSH和H₂S气体中的至少一种（其中，R是C₁～C₆的烷基族，Me是甲醇，Et是乙醇）。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在150℃至250℃的范围内的温度下形成所述缓冲层。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，通过下述方式来将所述缓冲层制备为ZnS缓冲层：在向所述光吸收层上首先注入所述S前体后，在所述光吸收层上注入所述Zn前体。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述缓冲层后，向所述缓冲层上施加H₂O，以将ZnS转换为ZnS(O,OH)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述窗口层包括通过向所述缓冲层上注入所述Zn前体来形成i-ZnO层。