[发明专利]多模光纤和包括该多模光纤的系统

权利要求书

1.一种多模光纤，包括：

渐变式折射率玻璃芯，包括折射率Δ1、最大折射率德耳塔Δ1_MAX和在10到40微米之间的半径；以及包围所述芯的包层区域和外包层，包括折射率Δ4，其中所述光纤在处于900到1250nm波长范围内的操作波长处表现出大于2.5GHz-km的满溢带宽。

2.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于：

所述半径是在10到30微米之间；且其中所述光纤在900到1100nm波长范围内的波长处表现出大于2.5GHz-km的满溢带宽。

3.如权利要求2所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤表现出在980nm处大于4GHz-km的满溢带宽。

4.如权利要求1或2所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤在950到1010nm之间的所有波长处表现出大于4GHz-km的满溢带宽。

5.如权利要求1或2所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤在1030到1090nm之间的所有波长处表现出大于4GHz-km的满溢带宽。

6.如权利要求1所述的多模光纤，其特征在于：

(i)所述芯半径是在10到35微米之间；

(ii)所述包层区域包括包围所述芯的折射率下陷的包层区域，且包括折射率德耳塔Δ3和最小折射率德耳塔Δ3_MIN，

(iii)所述外包层区域包围所述折射率下陷的包层区域，所述折射率下陷的包层区域具有小于约-0.1%的折射率德耳塔和至少1微米的宽度，其中Δ1>Δ4>Δ3_MIN，且

(iv)所述光纤在900nm到1200nm范围处表现出大于2.5GHz-km的满溢带宽。

7.如权利要求1、2、4、5、或6所述的光纤，其特征在于，所述芯包括基本掺杂单一掺杂剂的二氧化硅。

8.如权利要求1、2、4、5、或6所述的光纤，其特征在于，所述芯包括掺杂了Ge的二氧化硅，且没有任何其他掺杂物的量大于1wt%。

9.如权利要求1、6、7、或8所述的光纤，其特征在于，所述光纤在900nm-1100nm内的波长处表现出大于4GHz-km的满溢带宽。

10.如权利要求6所述的多模光纤，其特征在于，所述折射率下陷的包层区域直接毗邻所述芯且具有不大于约-0.2%的折射率德耳塔和至少2微米的宽度。

11.如权利要求6所述的多模光纤，其特征在于，还包括包含Δ4的第二内包层区域，其中Δ1>Δ4>Δ3，且所述第二内包层区域的宽度小于2微米。

12.如权利要求1或6所述的多模光纤，其特征在于，所述芯包括在20到30微米之间的芯半径。

13.如权利要求1或6所述的多模光纤，其特征在于，所述芯包括在10到20微米之间的芯半径。

14.如权利要求1或6所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤表现出在980nm处大于4GHz-km的满溢带宽。

15.如权利要求1、2、6、7、或8所述的多模光纤，其特征在于，所述光纤表现出在1060nm处大于4GHz-km的满溢带宽。

16.如权利要求1、6、14、或15所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在980nm处绕15mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.3dB/匝。

17.如权利要求1、6、7、8、12、或13所述的光纤，其特征在于，所述光纤表现出0.12到0.24之间的数值孔径。

18.一种系统，包括：

(i)至少一个光源，所述光源在900到1200nm内的一个或多个波长处以25GHz或更高的比特率发射；

(ii)至少一个多模光纤，所述至少一个多模光纤光学地耦合至所述至少一个光源，所述至少一个多模光纤在位于900nm到1200nm波长范围内的操作波长处具有大于4GHz-km的满溢带宽；小于约2.08的阿尔法；和在所述操作波长处小于60ps/nm/km的色散大小和小于1.5dB/km的衰减；和

(iii)光学地耦合至所述至少一个多模光纤的至少一个检测器，能检测900nm到1200nm内的波长。