[发明专利]超声换能组件及其制造方法

权利要求书

1.一种超声换能器组件（100），所述超声换能器组件包括用于在总的传输方向（A）上发射超声波的超声换能器元件（175、175a），所述超声换能器元件（175、175a）中的每一个或部分所述超声换能器元件（175、175a）中的每一个包括：

-压电层（110、110a），其具有相对于所述总的传输方向（A）的上表面、下表面和侧表面；

-下电极层（111、111a）；以及

-上电极层（112、112a）；

其中，在所述压电层中的至少一个特定压电层（110a）的侧表面的至少部分上施加导电层（125），以使得所述导电层(125)连接至所述特定压电层（110a）的所述上电极层（112a）和所述下电极层（111a）。

2.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，具有所述特定压电层（110a）的所述超声换能器元件（175a）是虚设元件，不能操作用以发射或接收超声波。

3.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，具有所述特定压电层（175a）的所述超声换能器元件（175a）是在所述超声换能器元件的行或阵列中的最外面的超声换能器元件。

4.如权利要求3所述的超声换能器组件，其中，被施加所述导电层（125）的侧表面是在所述超声换能器元件（175、175a）的行或阵列中面向外的侧表面。

5.如权利要求1所述的超声换能器组件，进一步包括导电连接层（180），所述导电连接层（180）电连接所述超声换能器元件（175、175a）的所述上电极层（112、112a）。

6.如权利要求1所述的超声换能器组件，进一步包括至少一个匹配层（120、130）和/或至少一个去匹配层（140），所述至少一个匹配层（120、130）被施加到所述上电极层（112、112a），所述至少一个去匹配层（140）被施加到所述下电极层（111、111a）。

7.如权利要求6所述的超声换能器组件，其中，在所述至少一个匹配层（120a；130a）和/或去匹配层（140a）的侧表面上进一步施加所述导电层（125）。

8.如权利要求7所述的超声换能器组件，进一步包括上导电层（114、114a）和/或下导电层（113、113a），所述上导电层被施加到最上面的匹配层，所述下导电层被施加到最下面的去匹配层。

9.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，所述超声换能器元件（175、175a）的所述下电极层（111、111a）中的每一个或所述超声换能器元件（175、175a）的部分所述下电极层（111、111a）连接到至少一个半导体芯片（160）。

10.如权利要求1所述的超声换能器组件，其中，具有所述特定压电层（110a）的所述超声换能器元件（175a）的下电极层（111a）连接到用于外部电连接的柔性电路（185）。

11.一种制造超声换能器组件（100）的方法，所述超声换能器组件包括用于在总的传输方向（A）上发射超声波的超声换能器元件（175、175a），所述方法包括针对所述超声换能器元件（175、175a）中的每一个或部分所述超声换能器元件（175、175a）中的每一个：

-提供压电层（110、110a），其具有相对于所述总的传输方向（A）的上表面、下表面和侧表面；

-施加下电极层（111、111a）；以及

-施加上电极层（112、112a）；

所述方法进一步包括：在所述压电层中的至少一个特定压电层（110a）的侧表面的至少部分上施加导电层（125），以使得所述导电层（125）连接至所述特定压电层（110a）的所述上电极层（112a）和所述下电极层（111a）。

12.如权利要求11所述的方法，其中，通过金属化来施加所述导电层（125）。

13.如权利要求12所述的方法，其中，通过溅射或施加导电环氧树脂来执行所述金属化。

14.如权利要求11所述的方法，其中，在一个公共金属化步骤中，将下电极层（111、111a）、所述上电极层（112、112a）和所述导电层（125）施加到压电材料的公共层（110’）。

15.如权利要求14所述的方法，其中，在已经执行所述公共金属化步骤之后，从所述压电材料的公共层（110’）中切出或切分出所述超声换能器元件（175、175a）。