[发明专利]陶瓷基板复合体及陶瓷基板复合体的制造方法有效
申请号: | 201280032091.6 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103688601A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 黑岩太治;中谷诚一;山下嘉久;泽田享 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H05K3/22 | 分类号: | H05K3/22;H05K1/03 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 薛凯 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 复合体 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及陶瓷基板复合体及陶瓷基板复合体的制造方法。
背景技术
陶瓷基板的耐热性、耐湿性优异,另外,在高频电路中具有良好的频率特性。由此,陶瓷基板被作为移动机器的RF模块、利用了散热性的功率LED用的基板或液晶的背光灯用途的LED用的基板使用。另外,在陶瓷基板上形成有导体图案的陶瓷基板复合体被作为积层基板的芯层基板使用。设于陶瓷基板复合体上的积层层可以使用溅射法、CVD法或溶胶凝胶等薄膜形成技术来形成。
积层基板容易受到陶瓷基板复合体的表面与积层层的接触状态的影响。即,如果陶瓷基板复合体的表面不平坦,则无法充分地确保陶瓷基板复合体与积层层的接触状态。由此,无法稳定地获得积层基板的特性,另外,还有无法充分地确保陶瓷基板复合体与积层层的绝缘性的问题。
为了解决该问题,公开过如下的内容,即,对陶瓷基板复合体的表面实施玻璃涂布,使得陶瓷基板复合体的表面平坦化(专利文献1、2)。
另外,还公开过通过研磨实施了玻璃涂布的陶瓷基板复合体的表面而使形成于陶瓷基板上的导体图案露出的内容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本特开2005-136396号公报
专利文献2日本特开2010-98291号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是,要使导体图案露出,必须研磨实施了玻璃涂布的陶瓷基板复合体的表面。由此,无法兼顾使陶瓷基板复合体的表面平坦化的工序和使导体图案露出的工序,陶瓷基板复合体的生产率差。
所以,本发明的目的在于,通过兼顾使陶瓷基板复合体的表面平坦化以及使导体图案露出,而提供生产率良好的陶瓷基板复合体及其制造方法。
用于解决问题的方法
为了达成上述目的,本发明中,提供一种陶瓷基板复合体,其特征在于,是在陶瓷基板上具有导体图案复合体和绝缘层而成的陶瓷基板复合体,
以使绝缘层与导体图案复合体的一部分重叠的方式,将导体图案复合体和绝缘层交替地设于陶瓷基板上,另外,导体图案复合体由导体部及在导体部内局部地存在的绝缘部构成,绝缘部是构成绝缘层的绝缘材料。
另外,为了达成上述目的,本发明中,提供一种陶瓷基板复合体的制造方法,其特征在于,是在陶瓷基板上具有导体图案复合体及绝缘层而成的陶瓷基板复合体的制造方法,
使以覆盖陶瓷基板上的导体部或其前体的方式涂布的绝缘层原料因浸润特性而不浸润导体部或其前体,由此使导体图案复合体或其前体露出,在陶瓷基板上形成与导体图案复合体相邻接的绝缘层。
发明效果
利用本发明的陶瓷基板复合体的制造方法,可以兼顾使陶瓷基板复合体的表面平坦化、以及使导体图案复合体露出。由此,可以使得陶瓷基板复合体的生产率良好。
另外,本发明的陶瓷基板复合体具有陶瓷基板、导体图案复合体及绝缘层而成。通过由导体部及在该导体部内局部地存在的绝缘部构成导体图案复合体,就可以形成在表面没有凹凸的导体图案复合体。由此,可以使以在陶瓷基板上相互接触的方式形成的导体图案复合体的表面与绝缘层的表面齐平面。
附图说明
图1A是本发明的陶瓷基板复合体的剖面简图。
图1B是本发明的陶瓷基板复合体的放大剖面简图。
图2A是表示本发明的陶瓷基板复合体的第一制造方法的利用陶瓷基板的形成工序形成陶瓷基板时的状态的剖面简图。
图2B是表示本发明的陶瓷基板复合体的第一制造方法的利用导体部的前体形成工序形成导体部的前体时的状态的剖面简图。
图2C是表示本发明的陶瓷基板复合体的第一制造方法的利用绝缘层原料的涂布工序涂布绝缘层原料时的状态的剖面简图。
图2D是表示本发明的陶瓷基板复合体的第一制造方法的利用导体图案复合体的前体的露出工序使导体图案复合体的前体露出时的状态的剖面简图。
图2E是表示本发明的陶瓷基板复合体的第一制造方法的利用本发明的陶瓷基板复合体的前体的加热工序形成本发明的陶瓷基板复合体时的状态的剖面简图。
图3A是表示本发明的陶瓷基板复合体的第二制造方法的利用陶瓷基板的形成工序形成陶瓷基板时的状态的剖面简图。
图3B是表示本发明的陶瓷基板复合体的第二制造方法的利用导体部的前体形成工序形成导体部的前体时的状态的剖面简图。
图3C是表示本发明的陶瓷基板复合体的第二制造方法的利用绝缘层原料的涂布工序涂布绝缘层原料时的状态的剖面简图。
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