[发明专利]半导体衬底及形成方法

权利要求书

1.一种形成用于电子器件的半导电衬底材料的方法，包括：

在反应室中的连续生长工艺期间在衬底上形成多个半导电层，其中在所述连续生长工艺期间，通过改变在所述连续生长工艺期间的至少一个生长工艺参数而在基层和外延层之间形成释放层；以及

从所述衬底中分离所述多个半导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述连续生长工艺包括氢化物气相外延（HVPE）工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括无机材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述基层包括氮化镓。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述基层包括不大于大约5mm的平均厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基层包括对于可见光谱中的辐射的不大于大约50cm^-1的吸收系数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基层包括对于可见光谱中的辐射的至少大约0.1cm^-1的吸收系数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成包括形成以至少大约50微米/hr的速率形成所述基层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成包括在三维生长模式下形成所述基层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长参数选自包括生长温度、生长速率、气相反应物和非反应物材料的压力、气相反应物和非反应物材料的温度、反应气氛中的反应物和非反应物材料的比例、生长室压力以及它们的组合的参数的组中。

11.根据权利要求1所述的方法，其中改变至少一个生长工艺参数包括改变气相反应物材料的浓度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中改变气相反应物材料的浓度包括相比于在所述基层的形成期间的元素浓度来增加在所述释放层的形成期间反应室中的元素的浓度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述元素为选自由Fe、O、Ge以及它们的组合组成的组的掺杂剂。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括至少大约2x10¹⁸cm^-3的掺杂剂浓度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括不大于大约1x10²¹cm^-3的掺杂剂浓度。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括对于可见光谱中的辐射的至少大约500cm^-1的吸收系数。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括对于可见光谱中的辐射的不大于大约10000cm^-1的吸收系数。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括不大于大约100微米的平均厚度。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括至少大约1微米的平均厚度。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层以与用于生长所述基层的速率基本相同的速率生长。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述释放层包括氮化镓。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层包括氮化镓。

23.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层以与所述释放层的速率基本相同的速率生长。

24.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层以比所述释放层的生长的速率慢的速率生长。

25.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层包括大于所述释放层的平均厚度的平均厚度。

26.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层包括对于可见光谱中的辐射的小于所述释放层的吸收系数的吸收系数。

27.根据权利要求1所述的方法，其中形成包括相比于用于生长所述释放层的工艺参数，改变在所述外延层的生长期间的生长工艺参数中的至少一个。