[发明专利]多层陶瓷基板及其制造方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷基板，其特征在于，

包括：由被层叠的多个陶瓷层构成的陶瓷素域，包括形成在所述陶瓷层之间的电阻膜的电阻体，以及形成为在厚度方向上贯穿所述陶瓷层、且第一端部与所述电阻膜相连接的引出用过孔导体；

所述电阻膜和所述引出用过孔导体均至少包含构成合金类电阻材料的第一金属成分和第二金属成分，

所述引出用过孔导体中的所述第二金属成分的浓度具有在与所述电阻膜相连接的所述第一端部中较高、且从该第一端部向着相反的第二端部侧逐渐变低的倾斜结构。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述第一金属成分为Cu，所述第二金属成分为Ni。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述电阻体包括分别形成在多个所述陶瓷层之间的多个所述电阻膜，以及用于对多个所述电阻膜进行并联连接、且形成为在厚度方向上贯穿所述陶瓷层并配置在互不相同的位置的多个并联连接用过孔导体。

4.如权利要求2所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述电阻体包括分别形成在多个所述陶瓷层之间的多个所述电阻膜，以及用于对多个所述电阻膜进行并联连接、且形成为在厚度方向上贯穿所述陶瓷层并配置在互不相同的位置的多个并联连接用过孔导体。

5.如权利要求3所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述电阻体包括三个以上的所述并联连接用过孔导体。

6.如权利要求3至5中任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述并联连接用过孔导体由与所述电阻膜相同的材料制成。

7.如权利要求1至5的任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述陶瓷层以BaO、SiO₂以及Al₂O₃为主要成分。

8.如权利要求1至5的任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

还包括形成在所述陶瓷层之间，且在第一位置与所述引出用过孔导体的所述第二端部相连接的连接导体膜；以及端子导体，该端子导体包括在与所述第一位置不同的第二位置与所述连接导体膜相连接，且在厚度方向上贯穿所述陶瓷层并被引出到该多层陶瓷基板的外表面上的端子用过孔导体。

9.如权利要求1至5的任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

还包括第一及第二源极端子以及第一及第二感应端子，

第一及第二的所述引出用过孔导体分别与所述第一及第二感应端子电相连接，

所述第一及第二源极端子分别与所述电阻膜上、夹着第一及第二的所述引出用过孔导体的连接部的位置电连接。

10.一种多层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，包括：

准备多个陶瓷生片的工序；

准备包含含有第一金属成分和第二金属成分的合金类电阻材料的电阻体糊料、以及至少以所述第一金属成分为主要成分的导体糊料的工序；

使用所述导体糊料在规定的所述陶瓷生片上形成引出用过孔导体的工序；

利用所述电阻体糊料在所述陶瓷生片的主面上形成要与所述引出用过孔导体的端部相连接的电阻膜的工序；

通过对多个所述陶瓷生片进行层叠来制作层叠体的工序；以及

对所述层叠体进行烧成的工序，

所述导体糊料还包含所述第二金属成分，准备所述导体糊料的工序包括准备所述第一金属成分与所述第二金属成分的含有比率不同的多种导体糊料的工序，

形成所述引出用过孔导体的工序包括利用多种所述导体糊料中的某一种在多个所述陶瓷生片上分别形成所述引出用过孔导体、从而得到所述引出用过孔导体中所述第一金属成分与所述第二金属成分的含有比率不同的多种所述陶瓷生片的工序，

制作所述层叠体的工序包括对所述多个陶瓷生片进行层叠、使得形成有所述第二金属的含量最多的所述引出用过孔导体的所述陶瓷生片位于与所述电阻膜相连接的一侧、并且使得形成有所述第二金属的含量越少的所述引出用过孔导体的所述陶瓷生片离所述导体膜越远的工序。

11.如权利要求10所述的多层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，

所述第一金属成分为Cu，所述第二金属成分为Ni。