[发明专利]III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体元件，其特征在于，

包括：氮化镓系半导体的发光层；

第1接触层，其设置于上述发光层上；

第2接触层，其设置于上述第1接触层上，与上述第1接触层直接接触；以及

金属电极，其设置于上述第2接触层上，与上述第2接触层直接接触，

上述第1接触层及上述第2接触层由p型的同一氮化镓系半导体构成，

上述第1接触层的p型掺杂剂的浓度低于上述第2接触层的p型掺杂剂的浓度，

上述第1接触层与上述第2接触层的界面自与沿c轴延伸的基准轴正交的面以50度以上且小于130度的角度倾斜，

上述发光层的发光波长为480nm以上600nm以下，

上述第2接触层的膜厚为1nm以上50nm以下。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述第2接触层的膜厚为1nm以上20nm以下。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，

还包括p型氮化镓系半导体的包覆层，

上述包覆层设置于上述发光层与上述第1接触层之间，

上述包覆层的带隙大于上述第1接触层的带隙，

上述第1接触层与上述包覆层直接接触。

4.如权利要求3所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，

还包括由氮化镓系半导体构成的基板，

在上述基板的主面上依次设置有上述发光层、上述包覆层、上述第1及第2接触层以及上述金属电极，

上述主面自与上述基准轴正交的面以50度以上且小于130度的角度倾斜。

5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述第1接触层的p型掺杂剂的浓度为5×10²⁰cm^-3以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述第2接触层的p型掺杂剂的浓度为1×10²⁰cm^-3以上1×10²¹cm^-3以下。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述第1接触层的p型掺杂剂的浓度为5×10¹⁸cm^-3以上5×10¹⁹cm^-3以下。

8.如权利要求5至7中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述p型掺杂剂为镁。

9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述第1及第2接触层由氮化镓构成。

10.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述第1及第2接触层为In_xAl_yGa_1-x-yN，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤1-x-y。

11.如权利要求1至10中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述发光层为In_xGa_1-xN，其中，0.15≤x<0.50。

12.如权利要求1至11中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，上述金属电极由Pd、Au、或者Ni及Au构成。