[发明专利]微电子器件封装及其形成方法

权利要求书

1.一种微电子器件封装，包括：

具有活性表面和相反的背面的微电子器件，其中，所述微电子器件的厚度由所述微电子器件的活性表面与所述微电子器件的背面之间的距离来界定；以及

至少一个次级器件，其电连接至所述微电子器件，其中，在所述微电子器件的所述厚度内将所述至少一个次级器件定位到紧邻所述微电子器件的位置。

2.根据权利要求1所述的微电子器件封装，其中，所述至少一个次级器件包括至少一个电容器。

3.根据权利要求1所述的微电子器件封装，还包括在所述至少一个次级器件与所述微电子器件之间的导电通路，所述导电通路包括：

设置在所述微电子器件之上的介电层；

第一导电通孔，其贯穿所述介电层延伸且电连接至所述至少一个次级器件；

第二导电通孔，其贯穿所述介电层延伸且电连接至所述微电子器件；以及

导电迹线，其将所述第一导电通孔电连接至所述第二导电通孔。

4.根据权利要求2所述的微电子器件封装，其中，将所述介电层设置在所述至少一个次级器件之上。

5.一种形成微电子器件封装的方法，包括：

提供具有活性表面和相反的背面的微电子器件，其中，所述微电子器件的厚度由所述微电子器件的活性表面与所述微电子器件的背面之间的距离来界定；以及

在所述微电子器件的所述厚度内将至少一个次级器件定位到紧邻所述微电子器件的位置；以及

将所述次级器件电连接至所述微电子器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述微电子器件的所述厚度内将至少一个次级器件定位到紧邻所述微电子器件的位置包括：在所述微电子器件的所述厚度内将至少一个电容器定位到紧邻所述微电子器件的位置。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述至少一个次级器件与所述微电子器件之间的导电通路，所述导电通路包括：

将介电层设置在所述微电子器件之上；

形成贯穿所述介电层延伸的、电连接至所述至少一个次级器件的第一导电通孔；

形成贯穿所述介电层延伸的、电连接至所述微电子器件的第二导电通孔；以及

形成将所述第一导电通孔电连接至所述第二导电通孔的导电迹线。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述介电层还包括将所述介电层设置在所述至少一个次级器件之上。

9.一种形成微电子器件封装的方法，包括：

在载体上形成牺牲材料层；

形成贯穿所述牺牲材料层的开口，以暴露出所述载体的一部分；

将至少一个次级器件焊盘形成在所述牺牲材料层上；

将微电子器件附着到在所述牺牲材料层的开口内的所述载体上，其中，所述微电子器件具有活性表面、相反的背面、以及由所述微电子器件的活性表面和所述微电子器件的背面之间的距离所界定的厚度；

将介电层设置在所述微电子器件和所述至少一个次级器件焊盘之上；

在所述至少一个次级器件焊盘与所述微电子器件之间形成导电通路；

去除所述牺牲材料层；以及

将次级器件附着到所述至少一个次级器件焊盘，其中，将所述次级器件设置在所述微电子器件的所述厚度内。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述次级器件附着到所述至少一个次级器件焊盘包括将电容器附着到所述至少一个次级器件焊盘。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述至少一个次级器件焊盘与所述微电子器件之间形成所述导电通路包括：

形成贯穿所述介电层而到达所述次级器件焊盘的至少一个开口；

形成贯穿所述介电层而到达所述微电子器件的至少一个开口；

将导电材料设置在所述开口内，以形成至少一个次级器件焊盘导电通孔和至少一个微电子器件导电通孔；以及

在所述至少一个次级器件焊盘导电通孔与所述至少一个微电子器件导电通孔之间形成至少一条导电迹线。