[发明专利]芯片上的具有磁性的隔离型功率转换器

权利要求书

1.一种用一些层制造的集成电路，其包括：

衬底；

变压器，所述变压器布置在所述衬底的第一表面上方，所述变压器包括围绕磁芯的第一绕组和第二绕组；以及

通量导体，所述通量导体布置在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一绕组在所述磁芯的第一部分中围绕所述磁芯；并且

所述第二绕组在所述磁芯的第二部分中围绕所述磁芯。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组围绕所述磁芯的相同部分。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组环绕所述磁芯互相缠绕且彼此不接触。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组中的至少一个占据集成电路的所述一些层中的多个层。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯占据所述集成电路的所述一些层中的多个层。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括布置在所述磁芯与所述第一绕组和第二绕组之间的介电材料。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一绕组被定向为沿与所述衬底的所述第一表面大体平行的方向传导通量。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯是实芯。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯和所述通量导体由相同的材料制成。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯包括布置在所述第一部分和所述第二部分中的至少一个中的多个空隙。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述磁芯是多段芯，具有在相邻的段之间的至少一个空隙中提供的介电材料。

13.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述磁芯包括开口，所述第一绕组和所述第二绕组通过所述开口围绕所述磁芯。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述第一部分定位在所述开口的一侧上，并且所述第二部分定位在所述开口的相对侧上。

15.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述磁芯包括布置在所述第一部分和所述第二部分中的至少一个中的多个空隙。

16.一种用一些层制造的集成电路，其包括：

衬底；

变压器，所述变压器布置在所述衬底的第一侧上，所述变压器包括第一磁芯、第二磁芯、围绕所述第一磁芯的一部分的第一绕组和围绕所述第二磁芯的一部分的第二绕组；以及

通量导体，所述通量导体布置在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上。

17.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一绕组进一步围绕所述第二磁芯的一部分，并且所述第二绕组进一步围绕所述第一磁芯的一部分。

18.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一绕组和所述第二绕组环绕所述第一磁芯和所述第二磁芯互相缠绕且彼此不接触。

19.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的至少一个占据所述集成电路的一些层中的多个层。

20.根据权利要求16所述的集成电路，其进一步包括布置在所述第一磁芯和所述第一绕组绕组之间以及在所述第二磁芯和所述第二绕组之间的介电材料。

21.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一绕组被定向为沿与所述衬底的所述第一表面大体平行的方向传导通量。

22.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁性中的至少一个是实芯。

23.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的至少一个包括多个空隙。

24.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的至少一个是多段芯，具有在相邻的段之间的至少一个空隙中提供的介电材料。