[发明专利]层状半导体基板及其制造方法

权利要求书

1.层状半导体基板，其包括

-单晶的第一层(1)，其含有至少80％的硅，并且具有第一厚度和第一晶格常数(a₁)，所述第一晶格常数(a₁)由第一掺杂剂元素和第一掺杂剂浓度决定，和

-单晶的第二层(2)，其含有至少80％的硅，并且具有第二厚度和第二晶格常数(a₂)，所述第二晶格常数(a₂)由第二掺杂剂元素和第二掺杂剂浓度决定，所述第二层(2)与所述第一层直接接触，和

-单晶的第三层(4)，其由III族氮化物组成，使得所述第二层位于所述第一层和所述第三层之间，

其中所述第二晶格常数(a₂)大于所述第一晶格常数(a₁)，其中所述第一层(1)和所述第二层(2)的晶格是晶格匹配的，并且其中所述层状半导体基板的弓形在-50μm至50μm的范围内。

2.根据权利要求1所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂元素和第二掺杂剂元素相同。

3.根据权利要求2所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂元素和第二掺杂剂元素的共价原子半径小于硅的共价原子半径，并且其中所述第一掺杂剂浓度高于所述第二掺杂剂浓度。

4.根据权利要求3所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂元素和第二掺杂剂元素是硼。

5.根据权利要求3或4所述的层状半导体基板，其中所述第二掺杂剂浓度是零。

6.根据权利要求2所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂元素和第二掺杂剂元素的共价原子半径大于硅的共价原子半径，并且其中所述第二掺杂剂浓度高于所述第一掺杂剂浓度。

7.根据权利要求6所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂元素和第二掺杂剂元素是锗或锑。

8.根据权利要求6或7所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂浓度是零。

9.根据权利要求1所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂元素的共价原子半径小于硅的共价原子半径，并且其中所述第二掺杂剂元素的共价原子半径大于硅的共价原子半径。

10.根据权利要求9所述的层状半导体基板，其中所述第一掺杂剂元素是硼，所述第二掺杂剂元素是锗或锑。

11.用于制造根据权利要求1所述的层状半导体基板的方法，其包括以下步骤：

-生长含有至少80％的硅和具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂元素的单晶，所述单晶具有第一晶格常数，

-从所述单晶上切下至少一个晶片，

-将所述晶片的厚度减小至第一厚度，所述晶片构成所述第一层(1)，

-在所述晶片的一个表面上外延沉所述第二层(2)，并且

-外延沉积由III族氮化物组成的所述第三层(4)。