[发明专利]光转换器有效
申请号: | 201280032521.4 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN103636004B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | R·勒肯霍夫;K-D·拉舍 | 申请(专利权)人: | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 德国海*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转换器 | ||
1.一种光转换器,所述光转换器构造用于光的光伏转换,所述光转换器具有:
·具有正面和背面的承载件;
·具有第一表面(32)和第一背侧面(34)的第一半导体主体(30),其中,所述第一背侧面(34)设置在所述承载件(20)的正面上;
·具有第二表面(42)和第二背侧面(44)的第二半导体主体(40),其中,所述第二背侧面(44)设置在所述承载件(20)的正面上;
·所述第一半导体主体(30)的第一表面(32)与所述第二半导体主体(40)的第二背侧面(44)连接;
·所述第一表面(32)和所述第二表面(42)构造为光的接收面,
其特征在于,
所述承载件构造为电路板并且设有导电的连接件(60、100),所述连接件具有第一臂(62、102)和第二臂(64、104),并且所述第一臂(62、102)设置在所述第一表面上并且与所述第一表面(32)电连接,并且所述第二臂(64、104)设置在所述第二背侧面(44)下方并且与所述第二背侧面(44)电连接,其方式是,所述第二臂(64、104)至少部分地埋置在导电材料(70)中,并且所述导电材料(70)构造与所述第二背侧面(44)的材料锁合连接并且设置在所述第二背侧面(44)与第二导轨(80)之间,并且所述第二导轨(80)在所述承载件(20)的正面上构造为所述承载件(20)的一部分。
2.根据权利要求1所述的光转换器(10),其特征在于,所述导电材料(70)基本上全面积地覆盖所述第二背侧面(44),并且构造有所述第二半导体主体(40)与所述导电材料(70)之间的材料锁合连接,并且构造有导电材料(70)与所述第二导轨(80)之间的材料锁合连接。
3.根据权利要求1或2所述的光转换器(10),其特征在于,在所述第一臂(62、102)与所述第二臂(64、104)之间设有中间件,并且所述连接件(60、100)在横截面中基本上具有阶梯形构造。
4.根据权利要求1或2所述的光转换器(10),其特征在于,所述连接件(60、100)具有梳形布置的多个第一臂(62、102),并且所述第一臂(62、102)中的每一个构造为用于所述第一表面(32)的汇流器。
5.根据以上权利要求中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述第一臂(62、102)与所述第一表面(32)焊接,并且所述第二臂(64、104)与所述第二背侧面(44)焊接。
6.根据以上权利要求中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述导电材料(70)包括焊料或聚合物。
7.根据以上权利要求中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述连接件(60、100)一件式地构造,并且所述第二臂(64、104)至少部分埋置到焊盘中。
8.根据以上权利要求中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述承载件(20)的表面在所述第一背侧面(34)的区域中具有第一导轨(78),并且所述承载件(20)的表面在所述第二背侧面(44)的区域中具有第二导轨(80),其中,所述第一导轨(78)与所述第二导轨(80)彼此间隔开。
9.根据权利要求8所述的光转换器(10),其特征在于,所述导电材料(70)或所述焊盘构造在所述第一导轨(78)上。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述第一背侧面(34)和所述第二背侧面(44)材料锁合地与所述焊盘连接。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述第一背侧面(34)和所述第二背侧面(44)仅仅与一个单个焊盘和多个导电的连接件(60、100)连接,并且相应的焊盘的横向延展小于相应的半导体主体(30、40、50)的横向延展。
12.根据以上权利要求中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述第一背侧面(35)和所述第二背侧面(45)在一个边缘区域中如此构造,使得所述边缘区域不以焊料覆盖。
13.根据以上权利要求中任一项所述的光转换器(10),其特征在于,所述第一半导体主体(30)具有方形构造,并且所述第一半导体主体(30)的侧面(34)设有焊接停止剂,优选为电绝缘体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的