[发明专利]层叠型电子元器件的层叠方向判定方法、层叠型电子元器件的层叠方向判定装置、层叠型电子元器件带的制造方法、以及层叠型电子元器件带的制造装置有效

专利信息
申请号: 201280032673.4 申请日: 2012-07-06
公开(公告)号: CN103636301B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 冈村幸辉 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: G01N21/84 分类号: G01N21/84
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 俞丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 电子元器件 方向 判定 方法 装置 制造 以及
【权利要求书】:

1.一种层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,包括:

测定工序,在该测定工序中,在预先设定的测定条件下获取与从包含用于对导体层和非导体层层叠而成的层叠型电子元器件进行观察的观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值;以及

判定工序,在该判定工序中,设定对应于所述测定条件的阈值,将该阈值与所述测定值进行比较,并基于该比较结果来判定所述层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。

2.如权利要求1所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述测定值是从所述观察面的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域分别检测的检测值的差分。

3.如权利要求2所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述第一区域是呈长方体形状的所述层叠型电子元器件的夹着长边方向的边的相邻两个面中的一个面,

所述第二区域是所述两个面中的另一个面。

4.如权利要求2所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述第一区域是除所述层叠型电子元器件的外部电极之外的区域,

所述第二区域是所述层叠型电子元器件以外的区域。

5.如权利要求2所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述第一区域是红外线能量因所述层叠型电子元器件的姿态而发生变化的区域,

所述第二区域是红外线能量与所述层叠型电子元器件的姿态无关而不发生变化的、层叠型电子元器件上的区域。

6.如权利要求1至5的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述测定条件包含有无对所述层叠型电子元器件加热、加热方向、及加热温度中的至少一个。

7.如权利要求1至6的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,在所述测定条件下对形状及特性与被测定对象的层叠型电子元器件相同、导体层的层叠方向为已知的基准层叠型电子元器件进行测定的情况下,基于与从所述基准层叠型电子元器件的观察面检测到的红外线能量相关的测定值来设定所述阈值。

8.如权利要求1至7的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述测定工序中的所述层叠型电子元器件是比常温要高的温度状态。

9.如权利要求1至8的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述测定工序包括:

拍摄步骤,在该拍摄步骤中拍摄所述层叠型电子元器件的观察面的热图像;以及

基于在所述拍摄步骤中所拍摄到的热图像来获取所述测定值的步骤。

10.如权利要求1至9的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法,其特征在于,所述测定值为温度。

11.一种层叠型电子元器件的层叠方向判定装置,其特征在于,包括:

测定单元,该测定单元在预先设定的测定条件下获取与从包含用于对导体层和非导体层层叠而成的层叠型电子元器件进行观察的观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值;以及

判定单元,该判定单元设定对应于所述测定条件的阈值,将该阈值与所述测定值进行比较,并基于该比较结果来判定所述层叠型电子元器件的所述导体层的层叠方向。

12.如权利要求11所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定装置,其特征在于,所述测定值是从所述观察面的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域分别检测的检测值的差分。

13.如权利要求12所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定装置,其特征在于,所述第一区域是呈长方体形状的所述层叠型电子元器件的夹着长边方向的边的相邻两个面中的一个面,

所述第二区域是所述两个面中的另一个面。

14.如权利要求12所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定装置,其特征在于,所述第一区域是除所述层叠型电子元器件的外部电极之外的区域,

所述第二区域是所述层叠型电子元器件以外的区域。

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