[发明专利]包括光学晶格结构的电致发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件(1，24，28，32)，包括：

衬底(13)；以及

涂覆到所述衬底(13)上的层布置(10)，包括由导电材料制成的第一电极层(12)、由导电材料制成的第二电极层(14)、由有机材料制成的布置在所述第一电极层(12)和所述第二电极层(14)之间并形成为有机叠层的至少一个发光层(16)、以及至少一个中间层(18)，至少一个所述中间层(18)包括布置在所述有机叠层和两个电极层中的一个之间的光学晶格结构，

其中，所述中间层(18)的第一主表面(18c)面向所述有机叠层并且所述中间层(18)的所述第一主表面(18c)形成为至少在所述光学晶格结构的区域中在容差范围内是平坦的，并且所述中间层(18)至少在所述第一主表面(18c)和第二主表面(18d)之间的区域中是导电的，

其中，所述中间层(18)包括第一和第二晶格子区域(18a，18b)，并且所述第一和第二晶格子区域(18a，18b)包括恒定层厚度(h₁₈)，

其中，所述容差范围表示小于+/-50nm的范围内的所述第一主表面(18c)的不平整度，

其中，所述有机叠层包括空穴传输层(16a)、电子阻挡层(16b)、双发射极层(16c)、空穴阻挡层(16d)和/或电子传输层(16e)，和/或

其中，所述中间层(18)包括含有以下各项中至少一项的材料：硅、氧化硅和/或金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述第一和第二晶格子区域(18a，18b)包括具有不同折射率的不同材料和/或不同材料特性，并且其中，所述光学晶格结构的周期长度至少在区域中调整至由所述发光层(16)发射的光的波长。

3.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述中间层(18)的光学晶格结构的周期长度在由所述发光层(16)发射的光的波长的0.2至5.0倍的范围中。

4.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述第一和第二晶格子区域(18a，18b)包括在由所述发光层(16)发射的光的波长处的至少50nm的吸收长度。

5.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述层布置(10)另外包括在所述发光层(16)和所述中间层(18)之间的导电电荷传输层(26)。

6.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述层布置(10)另外包括在所述中间层(18)和第一电极层(12)之间的或者在所述中间层(18)和第二电极层(14)之间的均匀导电距离层(30)。

7.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述中间层(18)的光学晶格结构对应于斜角的、矩形的、六角形的或方形布拉维晶格或形成为准晶体。

8.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述中间层(18)的层厚度(h₁₈)在另一个容差范围内是恒定的且所述中间层(18)的层厚度(h₁₈)小于1000nm。

9.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述层布置(10)被细分为借助集成电路选择性地、被动地或主动地驱动的像素和/或子像素。

10.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述中间层(18)以及第一和第二电极层(12，14)包括不同导电材料。

11.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，所述层布置(10)包括布置在第一中间层(18_1)和所述第一电极层(12)之间的包括另一个光学晶格结构的另一个中间层(18_2)，所述另一个中间层(18_2)的第一主表面(18c_2)面向所述发光层(16)并且所述另一个中间层(18_2)的第一主表面(18c_2)形成为至少在另一个光学晶格结构的区域中在容差范围内是平坦的，并且所述另一个中间层至少在所述另一个中间层(18_2)的第一主表面(18c_2)和所述另一个中间层(18_2)的第二主表面(18d_2)之间的区域中是导电的。

12.根据权利要求1所述的发光器件(1，24，28，32)，其中，硅是非晶硅。