[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，其特征在于，包括：

光电转换层，

在所述光电转换层的一个主表面侧设置的电子输出电极，

在所述光电转换层的另一个主表面侧设置的空穴输出电极，以及

在所述光电转换层和所述电子输出电极之间设置的电子输送层；

其中，所述电子输送层含有下式的物质及其反应物，

M（X）a        （1）

在上述（1）式中，M从碱金属、碱土金属、2B、3B族的金属、和过渡金属中选择，X从卤素、羧酸酯基、烷氧基、烷基和下式表示的乙酰丙酮基中选择，a根据M的价数来确定，是正整数，

在上式中，R₁、R₂从氢、或碳原子数1～20直链或支链的烷基、烷氧基中选择，R₁和R₂可以相同或不同。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述（1）式中的X是羧酸酯基或乙酰丙酮基，所述电子输送层中的羧基吸收系数在0.5×10⁵cm^-1以上、2.5×10⁵cm^-1以下。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其特征在于，所述电子输送层的电离电位在6.2eV以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，所述电子输送层含有选自醋酸锌、醋酸镁、乙酰丙酮铝、氯化铝、乙酰丙酮镓、氯化镓、乙酰丙酮锌、氯化锌、二乙基锌中的一个以上的金属化合物及其反应物。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述光电转换层含有第一还原电位为1160mV（vs Fc/Fc⁺）以上的富勒烯衍生物。

6.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述富勒烯衍生物是ICBA，即二茚基C60。

7.一种光电转换元件的制造方法，该光电转换元件具有一对电极、位于该一对电极之间的光电转换层、在一个电极和所述光电转换层之间设置的电子输送层，本制造方法的特征在于，包括：

涂覆含有下式物质的溶液而成膜后，在100℃以上、150℃以下进行加热，由此形成所述电子输送层的工序，

M（X）a         （1）

在上述（1）式中，M从碱金属、碱土金属、2B、3B族的金属、过渡金属中选择，X从卤素、羧酸酯基、烷氧基、烷基和下式表示的乙酰丙酮基中选择，a根据M的价数来确定，是正整数，

在上式中，R₁、R₂从氢、或碳原子数1～20直链或支链的烷基、烷氧基中选择，R₁、R₂可以相同或不同。