[发明专利]二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物

说明书

本发明涉及二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物以及包含一种或多种该聚合物的制造品。

新一代光电器件如有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机发光二极管(OLED)、可印刷电路、有机光伏(OPV)器件、电化学电容器和传感器在作为其有源组件的有机半导体上制成。为了能够获得晶体管/电路操作所需高器件效率如大的电荷载流子迁移率(μ)，或者获得OLED/OPV操作所必需的有效激子形成/分裂，希望可以得到p-型和n-型有机半导体材料二者。此外，这些基于有机半导体的器件应在环境条件下呈现令人满意的稳定性且应可以成本有效方式加工。

几种p-和n-通道分子半导体已经实现可接受的器件性能和稳定性。例如，基于某些并苯类(acenes)、低聚噻吩(p-通道)和苝类(n-通道)的OTFT可以在环境条件下显示出大于约0.5cm²/Vs的载流子迁移率(μ)。然而，分子半导体通常没有聚合物半导体容易加工，并且通常由于溶液粘度要求而不能经由印刷方法加工。

Zhang，M.；Tsao，H.N.；Pisula，W.；Yang，C.；Mishra，A.K.；Müllen，K.J.Am.Chem.Soc.2007，129，3472-3473描述了用于有机场效应晶体管(OFET)中的下式聚合物：

Junying Liu，Rui Zhang，Genevie^`ve Sauve′，Tomasz Kowalewski和Richard D.McCullough，J.Am.Chem.Soc.2008，130，13167-13176描述了用于有机场效应晶体管(OFET)中的下列聚合物：

Rieger，R.；Beckmann，D.；Pisula，W.；Steffen，W.；Kastler，M.；Müllen K.Adv.Mater.2010，22，83-86描述了用于有机场效应晶体管(OFET)中的如下聚合物：

Xiao，S；Zhou H.；You，W.Macromolecules2008，41，5688-5696描述了用作用于光伏器件中的供体材料的如下聚合物：

Xugang Guo，Rocio Ponce Ortiz，Yan Zheng，Yan Hu，Yong-YoungNoh，Kang-Jun Baeg，Antonio Facchetti和Tobin J.Marks，J.Am.Chem.Soc.2011，133，1405-1418描述了用于有机场效应晶体管(OFET)中的如下聚合物：

然而，本领域需要新的聚合物半导体，特别是在环境条件下具有良好稳定性、加工性能和/或电荷传输特性的那些。

鉴于上述情况，本发明的目的是要提供能够解决现有技术的各种缺陷和不足，包括上面所列那些缺陷和不足的半导体聚合物。本发明的目的还是要提供器件和制备方法以及这些聚合物的用途。

该目的通过可以由下式表示的聚合物解决：

其中M₁为任选取代的二噻吩并邻苯二甲酰亚胺：

其中

X为N或C-R，

其中R为H或C_1-40烷基，

R¹在每次出现时独立地选自H、C_1-40烷基、C_2-40链烯基、C_1-40卤代烷基和单环或多环结构部分，