[发明专利]使用基于模型的控制来处理基板的方法和设备有效
申请号: | 201280033269.9 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN103650109B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 基思·布赖恩·波特豪斯;约翰·W·莱恩;麻里乌斯·格雷戈尔;尼尔·玛丽;迈克尔·R·赖斯;亚历克斯·明科维奇;洪斌·李;德米特里·A·季利诺 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 基于 模型 控制 处理 方法 设备 | ||
1.一种控制具有处理容积的处理腔室的方法,所述方法包括以下步骤:
预先确定作为工艺参数的函数的排放阀的位置与所述处理容积中的压力之间的关系;
将所述处理腔室设定成第一状态,所述第一状态具有所述处理容积中的第一压力和所述工艺参数的第一值,其中将所述排放阀依据所述预定关系设定到第一位置,以在所述第一值下产生所述处理容积中的所述第一压力;
当所述处理腔室从所述第一状态变成第二状态时,确定压力控制分布,以控制所述处理容积中的所述压力,所述第二状态具有第二压力和所述工艺参数的第二值,其中所述压力控制分布由基于模型的控制算法确定,所述控制算法使用所述第一压力、所述第二压力、第一值、所述第二值和所述第一位置作为输入参数;以及
在使所述处理腔室从所述第一状态变成所述第二状态时,通过改变所述排放阀的所述位置,以应用所述压力控制分布来控制所述处理容积中的所述压力。
2.如权利要求1所述的方法,其中确定所述压力控制分布的步骤进一步包括以下步骤:
当将所述处理腔室设定成所述第二状态时,从所述预定关系确定所述排放阀的第二位置,这将在所述工艺参数的所述第二值下产生所述处理容积中的所述第二压力。
3.如权利要求2所述的方法,其中确定所述压力控制分布的步骤进一步包括以下步骤:
当所述第二压力大于所述第一压力时,计算所述排放阀从关闭位置移到所述第二位置所需的第一时间;或者
当所述第二压力小于所述第一压力时,计算所述排放阀从打开位置移到所述第二位置所需的第二时间,其中所述打开位置是所述排放阀的全开位置。
4.如权利要求3所述的方法,其中确定所述压力控制分布的步骤进一步包括以下步骤:
计算触发压力,其中所述触发压力是当所述第二压力大于所述第一压力时,所述排放阀开始从所述关闭位置移到所述第二位置而于所述第一时间内到达所述第二位置的压力,或者是当所述第二压力小于所述第一压力时,所述排放阀开始从所述打开位置移到所述第二位置而于所述第二时间内到达所述第二位置的压力。
5.如权利要求4所述的方法,其中确定所述压力控制分布的步骤进一步包括以下步骤:
尚未超过所述触发压力时,利用所述触发压力下的一组初始条件和所述第二压力下的一组最终条件,确定压力与时间的第二关系;或者
已超过所述触发压力时,计算所述排放阀从所述第一位置移到所述第二位置所需的第三时间;以及利用所述第一压力下的一组初始条件和所述第二压力下的一组最终条件,确定压力与时间的第二关系。
6.如权利要求5所述的方法,其中尚未超过所述触发压力时,应用所述压力控制分布的步骤进一步包括以下步骤:
当所述第二压力大于所述第一压力时,将所述排放阀设定到所述关闭位置;或者
当所述第二压力小于所述第一压力时,将所述排放阀设定到所述打开位置。
7.如权利要求6所述的方法,其中应用所述压力控制分布的步骤进一步包括以下步骤:
当所述第二压力大于所述第一压力并且已达到所述触发压力时,依据确定的所述第二关系,使所述排放阀在所述第一时间内从所述关闭位置移到所述第二位置;或者
当所述第二压力小于所述第一压力并且已达到所述触发压力时,依据确定的所述第二关系,使所述排放阀在所述第二时间内从所述打开位置移到所述第二位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造