[发明专利]真空成膜装置有效
申请号: | 201280033408.8 | 申请日: | 2012-07-05 |
公开(公告)号: | CN103649370A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 玉垣浩;芳贺润二 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/509;C23C16/515 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 装置 | ||
1.一种真空成膜装置,在基材形成皮膜,所述真空成膜装置的特征在于,以如下方式构成,即,具备:
真空腔室;
真空排气单元,对所述真空腔室内进行真空排气;
多个自转保持部,以使多个旋转轴成为相互平行的方式设定,而且能在各旋转轴中一边以该旋转轴为旋转中心自转一边保持作为成膜对象的所述基材;以及
公转机构,使所述多个自转保持部在与各自转保持部的旋转轴平行的公转轴周围进行公转,
所述多个自转保持部被分为多个组,按每个组以使所述自转保持部成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。
2.根据权利要求1所述的一种真空成膜装置,其特征在于,
所述真空成膜装置通过施加在所述自转保持部的电压使供给到所述真空腔室内的气体产生等离子体,通过按每个组切换供给到所述各自转保持部的电力,从而所述各组的自转保持部交替地重复在辉光放电等离子体生成中作为起到主体性的作用的作用极而工作的具有负的电位的状态和作为所述作用极的异性极工作的状态。
3.根据权利要求2所述的真空成膜装置,其特征在于,
具备等离子体产生电源,对各组的自转保持部供给电力,使供给到所述真空腔室内的原料气体产生等离子体,
所述多个自转保持部分为与所述等离子体产生电源的一方的电极连接的第一组和与所述等离子体产生电源的另一方的电极连接的第二组的任一个,以使所述第一组和所述第二组交替地调换的方式切换供给到各组的自转保持部的电力。
4.根据权利要求3所述的真空成膜装置,其特征在于,
所述公转机构具有能在所述公转轴周围旋转的公转台,
所述多个自转保持部在所述公转台中在以所述公转轴为中心的圆周上以等间隔排列的方式分别配备。
5.根据权利要求4所述的真空成膜装置,其特征在于,
属于所述第一组的自转保持部和属于所述第二组的自转保持部是相互相同的数量,在所述圆周上轮流地排列有各一个。
6.根据权利要求4所述的真空成膜装置,其特征在于,
属于所述第一组的自转保持部和属于所述第二组的自转保持部是相互相同的数量,在所述圆周上轮流地排列有各两个。
7.根据权利要求1所述的真空成膜装置,其特征在于,
具备偏置电源,该偏置电源按每个所述组以使所述自转保持部成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。
8.根据权利要求1所述的真空成膜装置,其特征在于,具备:
蒸发源;
蒸发源用电源,以使所述蒸发源成为阴极的方式向所述蒸发源供给电力;以及
偏置电源,向所述自转保持部保持的基材供给偏置电压,
所述多个自转保持部分为至少两个组,
各组的自转保持部交替地重复与所述蒸发源用电源的正极连接的状态和与所述偏置电源连接的状态,并且至少一个组的自转保持部作为所述蒸发源的阳极而动作。
9.根据权利要求8所述的真空成膜装置,其特征在于,
在一个组的自转保持部与所述蒸发源用电源的正极连接的状态下,其它组的自转保持部与所述蒸发源用电源的正极连接,此后,通过切断所述一个组的自转保持部与所述蒸发源用电源的正极的连接,从而设置从所述蒸发源用电源的正极向所述一个组的自转保持部和所述其它组的自转保持部的双方供给电力的时间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的