[发明专利]清洗方法和处理装置以及存储介质

权利要求书

1.一种清洗方法，在该清洗方法中，自附着有附着物的被处理体的表面去除附着物，其特征在于，

该清洗方法包括以下工序：

对被处理体的表面和附着物中的至少一者进行包括蚀刻处理的前处理；

自压力比被处理体所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射与暴露于上述被处理体的表面的膜之间不具有反应性的清洗用气体，通过绝热膨胀生成上述清洗用气体的作为原子的聚集体的气体团簇或上述清洗用气体的作为分子的聚集体的气体团簇；以及

向进行了上述前处理后的被处理体的表面照射清洗用气体的气体团簇而去除附着物。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，

上述前处理包括对被处理体的表面和附着物中的至少一者进行的改性处理和对通过上述改性处理而被改性了的改性层进行的蚀刻处理。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，

同时进行上述前处理的工序和去除上述附着物的工序。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，

上述前处理包括为了进行上述蚀刻处理而照射气体团簇的工序。

5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，

为了进行上述蚀刻处理而照射气体团簇的工序是使用与在照射上述清洗用气体的气体团簇而去除附着物的工序中用于照射气体团簇的生成机构相同的生成机构来进行照射的工序。

6.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，

为了进行上述蚀刻处理而照射气体团簇的工序是使用与在照射上述清洗用气体的气体团簇而去除附着物的工序中用于照射气体团簇的生成机构不同的生成机构来进行照射的工序。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，

照射上述清洗用气体的气体团簇而去除附着物的工序是配置多个用于照射气体团簇的生成机构并自上述生成机构照射气体团簇的工序。

8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，

为了进行上述蚀刻处理而照射气体团簇的工序是配置多个用于照射气体团簇的生成机构并自上述生成机构照射气体团簇的工序。

9.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，

照射上述清洗用气体的气体团簇而去除附着物的工序在用于照射气体团簇的生成机构相对于被处理体的角度可变的状态下进行。

10.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，

为了进行上述蚀刻处理而照射气体团簇的工序在用于照射气体团簇的生成机构相对于被处理体的角度可变的状态下进行。

11.一种处理装置，其是用于自附着有附着物的被处理体的表面去除附着物的被处理体的处理装置，其特征在于，

该处理装置包括：

前处理室，其用于在内部载置被处理体；

前处理模块，其具有前处理机构，该前处理机构用于对载置于上述前处理室内的被处理体的表面或附着物中的至少一者进行包括蚀刻处理在内的前处理；

清洗处理室，其用于在内部载置被处理体；

气体团簇喷嘴，其设于上述清洗处理室，用于自压力比上述清洗处理室的内部的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射与暴露于上述被处理体的表面上的膜之间不具有反应性的清洗用气体，通过绝热膨胀生成上述清洗用气体的作为原子的聚集体的气体团簇或上述清洗用气体的作为分子的聚集体的气体团簇，并向前处理后的被处理体供给上述气体团簇，以便去除上述附着物；以及

输送机构，其用于相对于上述前处理室及上述清洗处理室进行被处理体的交接。

12.根据权利要求11所述的处理装置，其特征在于，

上述前处理室是内部被保持为常压气氛的常压处理室，其与在常压气氛下输送被处理体的常压输送室相连接，

上述清洗处理室是内部被保持为真空气氛的真空处理室，其与在真空气氛下输送被处理体的真空输送室气密地连接，

在上述常压输送室与上述真空输送室之间设有用于切换内部的气氛的加载互锁室，

在上述常压输送室中设有作为上述输送机构的常压输送机构，在上述真空输送室中设有作为上述输送机构的真空输送机构。