[发明专利]深度/取向检测工具和深度/取向检测方法

权利要求书

1.一种用于对布置在地层中的导管穿孔的方法，所述方法包括以下步骤：

提供基本上非放射性的靶块；

其中所述导管的特征在于具有平行于该导管的纵向轴线和平行于与所述纵向轴线垂直的平面的径向轴线；

将所述靶块放置在所述导管附近，其中所述靶块定位成与敏感装置相距一径向偏置角，该径向偏置角为从约0°到约360°的角；

照射所述靶块以形成放射性靶块；

检测所述放射性靶块的径向取向；

基于所述靶块的径向取向和所述径向偏置角确定穿孔目标部位，从而降低损坏所述敏感装置的风险；和

在所述穿孔目标部位处沿基本上远离所述敏感装置的方向对所述导管穿孔，从而不会损坏所述敏感装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块包括当被照射时具有小于约32天的放射性半衰期的材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块包括当被照射时具有小于约8天的放射性半衰期的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块包括当被照射时具有小于约3天的放射性半衰期的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块包括当被照射时具有小于约30秒的放射性半衰期的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块包括当被照射时具有小于约1秒的放射性半衰期的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块包括当被照射时改变波长/散射能量的材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块包括当被照射时发出辐射的材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块为锡、钼、镓、钪、氯、铑、镉、铯、碲、碘、氙、金、水、氧或者它们的任意组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶块为碲、碘、氙、金或者它们的任意组合。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，所述靶块包括铯。

12.根据权利要求5所述的方法，其中，所述靶块包括氧。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述敏感装置为电缆。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将所述敏感装置附接到所述导管的步骤，其中放置所述靶块的步骤还包括将所述靶块夹固到所述敏感装置上的步骤。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，照射所述靶块的步骤还包括使用电离辐射照射所述靶块，所述电离辐射选自包括伽玛辐射、中子辐射、质子辐射、紫外线辐射、X-射线辐射、以及它们的任意组合的组。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，照射所述靶块的步骤还包括使用中子源照射所述靶块的步骤。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述中子源是高通量中子源，其中所述高通量中子源是钚-铍、镅-铍、镅-锂或者它们的任意组合。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述中子源是高通量中子源，其中所述高通量中子源包括基于加速器的中子发生器。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，检测所述放射性靶块的径向位置的步骤还包括使用伽玛射线检测器、X-射线检测器、中子检测器、正比检测器或者它们的任意组合检测所述放射性靶块的径向位置的步骤。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，检测所述放射性靶块的径向位置的步骤还包括使用伽玛射线检测器检测所述放射性靶块的径向位置的步骤。

21.根据权利要求1所述的方法，其中，检测所述放射性靶块的径向位置的步骤还包括使用x-射线背散射能谱仪检测所述放射性靶块的径向位置的步骤。

22.根据权利要求20所述的方法，其中，所述径向偏置角为约0°或约180°。

23.根据权利要求1所述的方法，其中，所述穿孔目标部位沿径向定位成与所述敏感装置相距约180°。

24.根据权利要求22所述的方法，其中，所述穿孔目标部位与所述敏感装置相距约170°至约190°。