[发明专利]在金属硅化物存在的情况下形成聚硅烷和聚碳硅烷的方法

权利要求书

1.一种在金属硅化物存在的情况下形成包含至少一种聚硅烷和至少一种聚碳硅烷的混合物的方法，所述方法包括将所述金属硅化物和卤代烷在200℃至600℃的温度下在反应器中合并以形成所述混合物的步骤，其中所述卤代烷具有式RX，其中R为C₁-C₁₀烷基，并且其中X为卤素。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属硅化物包含I族或II族金属。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述金属硅化物进一步定义为Mg₂Si。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中X为氯。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中将R进一步定义为甲基。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中至少一种聚硅烷具有式R₃Si(R₂Si)_mSiR₃，其中每个R独立地为C₁-C₄烷基、卤素或–H，并且m具有1至5的平均值。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种聚硅烷为直链的。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述混合物包含至少两种聚硅烷，并且所述聚硅烷中的至少一种为支链的。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述混合物包含至少两种聚硅烷，并且所述聚硅烷中的至少一种为环状的。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中至少一种聚碳硅烷具有式R²₃Si-CH₂(R²₂Si-CH₂)_nSiR²₃，其中每个R²独立地为C₁-C₄烷基、卤素或–H，并且n具有1至5的平均值。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述至少一种聚碳硅烷为直链的。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述混合物还包含至少一种具有式R₃³Si-[SiR³₂]_m[SiR³₂CH₂]_nSiR³₃的混杂的聚硅烷-碳聚硅烷，其中每个R³独立地为C₁-C₄烷基、卤素或–H，m具有1至5的值并且n具有1至5的平均值。

13.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述混合物包含至少两种聚碳硅烷，并且所述聚碳硅烷中的至少一种为支链的。

14.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述混合物包含至少两种聚碳硅烷，并且所述聚碳硅烷中的至少一种为环状的。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述环状聚碳硅烷选自1,1,3,3-四甲基-1,3-二硅杂环丁烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二硅杂环戊烷、1,1,3,3,5-五甲基-1,3,5-三硅杂环己烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,3,5-三硅杂环己烷以及它们的组合。