[发明专利]带层叠膜的玻璃基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280034404.1 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN103649002A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 广松邦明;白井正信;宫下纯一;米道友广;远藤健朗 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 玻璃 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及带层叠膜的玻璃基板的制造方法,特别是涉及通过在线CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)法在退火炉内在玻璃带上形成层叠膜的带层叠膜的玻璃基板的制造方法。

背景技术

作为通过在线CVD法在玻璃带上形成膜的方法,已知例如专利文献1~3中记载的方法。

专利文献1中公开了在浮法槽内的玻璃带上通过CVD法形成含有硅和氧的氧化物膜的方法。并公开了:此时,为了防止浮法槽的熔融金属因氧气而发生氧化,使用不饱和烃化合物和二氧化碳作为氧源。

专利文献2中公开了通过配置于浮法槽的涂涂层站(喷射器)和配置于退火炉的涂涂层站在玻璃带上依次形成二氧化硅覆膜、氧化锡覆膜的方法。

专利文献3中公开了在浮法槽的出口与退火炉入口之间的区域设置喷嘴(喷射器)并在玻璃带上成膜的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平1-201046号公报

专利文献2:日本特开平3-33036号公报

专利文献3:日本特公平4-35558号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在浮法槽内,为了防止熔融金属的氧化,熔融金属的周围通常是非氧化气氛。另外,在浮法槽内,玻璃带呈柔软的状态,在浮法槽内的柔软的玻璃带上通过CVD法进行成膜时,不易因温度差而引起玻璃带的翘曲、裂纹。

在专利文献1中公开了:为了防止浮法槽的熔融金属的氧化而使用不饱和烃化合物和二氧化碳作为氧气源。这是因为,在非氧化气氛下形成氧化物膜时,不能使用氧气,需要使用含有氧分子的反应气体。但是,在使用该方法形成含有硅和氧的氧化物膜时,会在氧化物膜中混入来源于烃、二氧化碳的碳(C)。其结果,膜的吸收增加,成为与不含碳的膜相比透过率变差的膜。

因此,在浮法槽内通过CVD法形成氧化物膜时,存在膜质变差的问题,期望在浮法槽外进行成膜。

在专利文献2中指出了:在退火炉内具备涂涂层站时,因用于成膜的温度条件和用于对玻璃带进行退火的温度条件不同而产生问题,在形成多层涂层时,问题变得更复杂。因此,在专利文献2中,推荐使预混合后的氧气和涂层前体在浮法槽内在玻璃带上接触。但是,在该方法中,为了封闭氧气,需要密封,装置变复杂。另外,在退火炉内具备涂涂层站,想要在玻璃带上形成金属氧化物覆膜时,由于玻璃带与喷射器的热交换,与不具备涂涂层站的情况相比,从玻璃带产生急剧的散热,玻璃带有可能变形或者产生伤痕和裂纹。特别是,涂涂层站数越多,产生伤痕和裂纹的可能性越高,翘曲的玻璃带与涂涂层站接触,由此产生玻璃的伤痕和裂纹。

因此,在专利文献2中公开了在形成多层涂层时,在退火炉内具备一个以上的涂涂层站的情况下,存在必须建立不同的温度控制的问题。另一方面,没有具体公开任何在退火炉内配置有多个涂涂层站时的适当的温度管理方法。

在专利文献3中公开了在浮法槽的出口与退火炉入口之间的区域以覆盖玻璃的整个宽度的方式设置喷嘴(喷射器)。但是,即使直接使用现有的浮法制造装置,在浮法槽与退火炉之间也没有足够的配置喷嘴的空间。另外,在浮法槽与退火炉之间的空间内,如果在不进行玻璃带的温度控制的情况下在浮法槽与退火炉之间的空间进行成膜,则存在因喷嘴与玻璃带的热交换而使玻璃带产生急剧的散热的问题。

本发明着眼于上述问题而进行,提供在在线CVD法中对玻璃带进行适当的温度管理并使用设置在退火炉内的多个喷射器在玻璃带上形成层叠膜的带层叠膜的玻璃基板的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明提供以下方式。

(1)一种带层叠膜的玻璃基板的制造方法,该制造方法使用具备将玻璃的原料熔化的熔炉、使熔融玻璃浮在熔融金属上而成形为玻璃带的浮法槽和对所述玻璃带进行退火的退火炉的玻璃制造装置,通过CVD法利用设置在所述退火炉内的多个喷射器在所述玻璃带上形成层叠膜,并将所述玻璃带切断,该制造方法的特征在于,

在将玻璃化转变温度设为Tg时,所述层叠膜在Tg+50℃以下形成,且所述层叠膜中至少2层以上的层在从Tg+50℃到Tg的温度范围内形成,

形成所述层叠膜的全部层的温度范围内的所述玻璃带的每单位长度的下降温度K1为0℃/m<K1<10℃/m。

(2)根据(1)所述的带层叠膜的玻璃基板的制造方法,其特征在于,

所述玻璃带的每单位长度的下降温度K1为1℃/m≤K1≤5℃/m。

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