[发明专利]非共振双光子吸收材料、非共振双光子吸收记录材料、记录介质、记录/再现方法和非共振双光子吸收化合物在审
申请号: | 201280034482.1 | 申请日: | 2012-05-11 |
公开(公告)号: | CN103688310A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 津山博昭;秋叶雅温;望月英宏;佐佐木俊央;见上龟雄 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G11B7/246 | 分类号: | G11B7/246;C07C255/56;C07C69/33 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 共振 光子 吸收 材料 记录 介质 再现 方法 化合物 | ||
1.一种非共振双光子吸收材料,其包含由下式(1)表示的非共振双光子吸收化合物:
式(1)
(其中Ar1至Ar5各自独立地代表芳香族烃环或芳香族杂环,并且可以可各自独立地彼此相同或不同;m、n、p、q和s各自独立地代表0至4的整数;t代表0或1的整数;R1、R2、R3、R4和R5各自独立地代表取代基;当m、n、p、q和s各自独立地为2以上的整数时,R1、R2、R3、R4或R5可以各自独立地与其它各R1、R2、R3、R4或R5相同或不同;并且X和Y各自代表Hammettσ-p值为0以上的取代基,并且X和Y可以彼此相同或不同)。
2.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收材料,其包含由下式(2)表示的非共振双光子吸收化合物:
式(2)
(其中l代表1至4的整数;m、n、p、q和s各自独立地代表0至4的整数;t代表0或1的整数;R6代表包含选自氧原子、硫原子和氮原子中至少一者的取代基,并且当l为2以上时,各R6可以与其它各R6相同或不同;R7、R8、R9、R10和R11各自独立地代表取代基,并且当m、n、p、q和s各自独立地为2以上的整数时,R7、R8、R9、R10或R11可以各自独立地与其它各R7、R8、R9、R10或R11相同或不同;并且X代表Hammettσ-p值为0以上的取代基)。
3.根据权利要求2所述的非共振双光子吸收材料,其包含由下式(3)表示的非共振双光子吸收化合物:
式(3)
(其中l、m、n、p、q、s、t、R6、R7、R8、R9、R10、R11和X与式(2)中的相同)。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收材料,
其中由所述非共振双光子吸收化合物的式(1)至(3)中X代表的取代基为三氟甲基、氰基、或由下式(4)表示的基团:
式(4)
(其中R12代表包含选自氧原子、硫原子和氮原子中至少一者的取代基,u代表0至4的整数,并且当u为2以上时,各R12可以与其它各R12相同或不同)。
5.根据权利要求2至4中任意一项所述的非共振双光子吸收材料,
其中由式(1)至(3)中任意一者代表的所述非共振双光子吸收化合物为由下式(5)代表的非共振双光子吸收化合物:
式(5)
(其中l、m、n、p、q、R6、R7、R8、R9和R10与式(2)和(3)中的相同,并且X1代表三氟甲基、氰基、或由式(4)表示的取代基)。
6.一种非共振双光子吸收记录材料,其包含权利要求1至5中任意一项所述的非共振双光子吸收材料。
7.根据权利要求6所述的非共振双光子吸收记录材料,其包含(b)一种能够改变双光子记录前后的荧光强度的材料。
8.根据权利要求6所述的非共振双光子吸收记录材料,其包含(b’)一种能够改变双光子记录前后的反射光强度的材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280034482.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。