[发明专利]非共振双光子吸收记录材料、非共振双光子吸收聚合物光学信息记录介质和记录/再现方法有效
申请号: | 201280034497.8 | 申请日: | 2012-05-11 |
公开(公告)号: | CN103650044B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 津山博昭;牧野雅臣;望月英宏;佐佐木俊央;见上龙雄 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G11B7/245 | 分类号: | G11B7/245;B82Y10/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 丁业平,常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共振 光子 吸收 记录 材料 聚合物 光学 信息 介质 再现 方法 | ||
1.一种非共振双光子吸收记录材料,其包含非共振双光子吸收聚合物化合物。
2.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收记录材料,
其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物的主链包含选自聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚醚和聚酰亚胺中的至少一者。
3.根据权利要求1或2所述的非共振双光子吸收记录材料,
其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物是包含由下式(1)表示的结构的化合物:
式(1)
(其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;X代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的二价取代基;X和Y可以彼此相同或不同;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数)。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料,
其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物是包含由下式(2)表示的结构的化合物:
式(2)
(其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;X代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的二价取代基;X和Y可以彼此相同或不同;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数)。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料,
其中所述由式(1)或(2)代表的非共振双光子吸收聚合物化合物是包含下式(3)表示的结构的化合物:
式(3)
(其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数)。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料,
其中所述由式(1)、(2)或(3)代表的非共振双光子吸收聚合物化合物为包含由下式(4)表示的结构的化合物:
式(4)
(其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数)。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料,
其中所述非共振双光子吸收记录材料包含以下聚合物化合物,该聚合物化合物包含由式(1)至(4)中至少一者代表的非共振双光子吸收聚合物化合物作为共聚物组分。
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