[发明专利]制造高密度磁性介质的设备及方法

权利要求书

1.一种形成具有磁性性质图案的基板的方法，所述方法包括以下步骤：

在所述基板上形成磁性非活性层；

在所述磁性非活性层上形成磁性前驱物；以及

通过施加纳米级图案化热能至所述磁性前驱物而在所述磁性前驱物中形成由磁性非活性畴隔开的磁性活性畴。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述热能为紫外线能量。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述激光能量为脉冲激光能量。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述磁性活性畴上形成非可磁化层。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述脉冲激光能量具有能量密度，所述能量密度小于比所述磁性前驱物的临界活化能量高约10%的能量密度。

6.如权利要求5所述的方法，其中通过不间断施加有纳米级图案化热能至一系列处理区域而将所述纳米级图案化热能施加至所述磁性前驱物。

7.一种在磁性非活性材料中形成磁性活性畴的方法，所述方法包括以下步骤：

在所述磁性非活性材料中形成凹槽；

在这些凹槽中沉积磁性前驱物；

通过施加脉冲能量至基板来增加在这些凹槽中沉积的所述磁性前驱物中原子的排列整齐度。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述脉冲能量为脉冲激光能量。

9.如权利要求7所述的方法，其中这些凹槽通过以下步骤形成：在所述基板上形成掩模材料、压印所述掩模材料以使所述掩模材料具有由所述掩模材料的厚区域及所述掩模材料的薄区域限定的图案、及通过暴露所述掩模材料于离子来透过所述掩模材料的所述薄区域蚀刻部分所述磁性非活性材料，所述离子具有选定的穿透所述掩模材料的所述薄区域但不穿透所述掩模材料的所述厚区域的能量。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述脉冲激光能量以小于约200nm的周期图案化。

11.一种热处理设备，所述热处理设备包括：

相干能量脉冲源，所述相干能量脉冲源具有小于约50纳秒的时间长度；

脉冲分配器，所述脉冲分配器被装设以接纳相干能量源并发出多个子脉冲；

基板支撑件，所述基板支撑件被装设以接收所述子脉冲；以及

多个反射镜，所述多个反射镜被装设以将所述子脉冲的每一子脉冲指向与所述基板支撑件相邻的处理区域以在与所述基板支撑件相邻的处理区域重叠。

12.如权利要求11所述的热处理设备，进一步包括均匀化光学系统，所述光学系统在所述相干能量脉冲源与所述脉冲分配器之间。

13.如权利要求12所述的热处理设备，进一步包括多个可调极性滤光器，每一可调极性滤光器沿着一束子光束的光学路径装设。

14.如权利要求11所述的热处理设备，进一步包括控制器，所述控制器与所述相干能量脉冲源及所述基板支撑件连通。

15.如权利要求13所述的热处理设备，进一步包括控制器，所述控制器与所述相干能量脉冲源、所述基板支撑件、所述均匀化光学系统及所述多个可调极性滤光器连通。