[发明专利]用于处理晶片及清洁腔室的感应等离子体源

权利要求书

1.一种在基板上沉积材料的方法，所述方法包含以下步骤：

提供处理腔室，所述处理腔室分隔成第一等离子体区域及第二等离子体区域；

将所述基板输送至所述处理腔室，其中所述基板占据所述第二等离子体区域的一部分；

在所述第一等离子体区域中形成第一等离子体，其中：

所述第一等离子体未直接接触所述基板；以及

所述第一等离子体通过激活所述第一等离子体区域上方的至少一个成形的射频（“RF”）线圈形成；以及

在所述基板上沉积所述材料以形成层，其中受所述第一等离子体激发的一种或更多种反应物用于沉积所述材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个成形的RF线圈包含扁绕RF线圈，所述扁绕RF线圈定位于实质上整个所述第一等离子体区域上方。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个成形的RF线圈包含第一U形铁氧体磁心。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一U形铁氧体磁心的末端指向所述第一等离子体区域。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述至少一个成形的RF线圈进一步包含第二U形铁氧体磁心；

所述第二U形铁氧体磁心的末端指向所述第一等离子体区域；以及

所述第一U形铁氧体磁心或者所述第二U形铁氧体磁心的末端指向所述第一等离子体区域的每一象限。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个成形的RF线圈包含第一圆柱形铁氧体棒。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一圆柱形铁氧体棒的一个末端指向所述第一等离子体区域。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述至少一个成形的RF线圈进一步包含第二圆柱形铁氧体棒；

所述第二圆柱形铁氧体棒的一个末端指向所述第一等离子体区域；以及

所述第一圆柱形铁氧体棒或者所述第二圆柱形铁氧体棒的末端指向所述第一等离子体区域的每一象限。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个成形的RF线圈包含第一O形铁氧体磁心。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述至少一个成形的RF线圈进一步包含第二O形铁氧体磁心。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一O形铁氧体磁心及所述第二O形铁氧体磁心为同心的。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一O形铁氧体磁心及所述第二O形铁氧体磁心被独立地激活。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体区域及所述第二等离子体区域通过喷头分隔。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述喷头包含双通道喷头。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含以下步骤：

将第一处理气体供应至所述第一等离子体区域；以及

经由所述双通道喷头将第二处理气体供应至所述第二等离子体区域。

16.一种用于在基板上沉积材料的系统，所述系统包含：

处理腔室，所述处理腔室通过喷头分隔成第一等离子体区域及第二等离子体区域，其中：

在所述第一等离子体区域中形成的等离子体经由所述喷头流动至所述第二等离子体区域；以及

所述第二等离子体区域为基板提供位置；以及

至少一个成形的RF线圈，所述至少一个成形的RF线圈用于在将第一流体输送至所述第一等离子体区域时，在所述第一等离子体区域中形成第一等离子体。

17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述至少一个成形的RF线圈包含来自由以下各者组成的群组的选择：

扁绕RF线圈；

U形铁氧体磁心；

圆柱形铁氧体棒；以及

O形铁氧体磁心。

18.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述系统进一步包含：

用于沿与所述第一等离子体的方向实质上相同的方向将第二流体供应至所述第二等离子体区域的子系统。