[发明专利]蚀刻方法和利用该蚀刻方法制备的装置有效
| 申请号： | 201280034992.9 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103703547B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 穆图·塞巴斯蒂安;陈风良 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,刘媛 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 利用 制备 装置 | ||
1.一种用于蚀刻层状结构的方法，所述层状结构具有形成于透明或半透明基底上的ITO、SiO2和ITO的顺序层，所述方法包括：
使用图案化掩模来暴露所述层状结构的一部分；
以及
使所述层状结构的所述暴露部分与包含过渡金属氯化物和盐酸(HCl)的酸性溶液接触，以移除所述层状结构的所述暴露部分的每个层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述层状结构的所述暴露部分的所述蚀刻在约45至85℃的温度下。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述酸性溶液不含氟。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述酸性溶液包含具有约0.02-1.0N的浓度的盐酸(HCl)。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述过渡金属氯化物为氯化铜(CuCl2)。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述氯化铜(CuCl2)的浓度为约50g/L-200g/L。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述过渡金属氯化物为氯化铁(FeCl3)。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氯化铁(FeCl3)的浓度为约50g/L-200g/L。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述层状结构的所述蚀刻进行约20秒至2分钟。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述层状结构的所述蚀刻进行约25-60秒。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅(SiO2)掺杂有金属。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述SiO2为掺杂铝的二氧化硅(SiAlOx)。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻暴露所述透明或半透明基底的一部分，所述透明或半透明基底的所述暴露部分具有在450-800nm整个波长范围内大于85%的透光率。
14.根据权利要求1所述的方法，其中在蚀刻所述层状结构之后，所述层状结构的未蚀刻部分具有小于150Ω/sq的电阻。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明或半透明基底选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚降冰片烯(PNB)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、或玻璃。
16.一种用于蚀刻层状结构的方法，所述层状结构具有形成于透明或半透明基底上的至少一个ITO层和至少一个二氧化硅(SiO2)层，所述方法包括：
使用图案化掩模来暴露所述层状结构的一部分；
使所述层状结构的所述暴露部分与包含过渡金属氯化物和盐酸(HCl)的酸性溶液接触，以移除所述层状结构的所述暴露部分的每个层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司，未经3M创新有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280034992.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：雾化直发器
- 下一篇：一种新型的内胎成型机上模板本体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
