[发明专利]太阳能电池和其生产方法

权利要求书

1.太阳能电池(1、31)，其包含半导体晶片(3、33)，布置在半导体晶片(3、33)上的至少一个介电层(5、35)，布置在该介电层上的金属层(7、37)，以及布置在介电层(5、35)中的接触结构，使得该接触结构提供在金属层(7、37)和半导体晶片(3、33)之间的电连接，其中该接触结构带有至少一个具最小维度的第一结构(9a、39a)和至少一个具最大维度的第二结构(9b、39b)，其中该最小维度和该最大维度沿着半导体晶片(3、33)的表面被限定，而第一结构(9a、39a)的最小维度大于第二结构(9b、39b)的最大维度。

2.如权利要求1所述的太阳能电池(1、31)，其特征在于第一结构(9a、39a)的最小维度以毫米为单位范围，而第二结构(9b、39b)的最大维度则以微米为单位范围。

3.如权利要求2所述的太阳能电池(1、31)，其特征在于该毫米范围包含0.1至10mm，而该微米范围包含10至70μm。

4.如前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1、31)，其特征在于第一结构(9a、39a)包含铝-硅低共晶和/或第二结构(9b、39b)包含硅-金属触点或激光烧制触点（LFC）。

5.如前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1、31)，其特征在于第一结构(9a、39a)的形状呈条状。

6.如前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1、31)，其特征在于第二结构(9b、39b)的形状呈点状。

7.如前述权利要求中任一项所述的太阳能电池(1)，其特征在于在金属层(7)背对该半导体晶片的表面上，在平面图中与第一结构(9a)重叠的区域中布置连接器(11)。

8.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于第一结构(39a)包含铝-硅低共晶，而其直接以接触式连接至连接器(311)。

9.生产太阳能电池的方法，其包含以下方法步骤：

-提供半导体晶片(3、33)，其具有至少一个介电层(5、35)，

-在介电层(5、35)上形成金属层(7、37)，并在介电层(5、35)中布置接触结构，使得该接触结构提供在金属层(7、37)和半导体晶片(3、33)之间的电连接，其中至少一个带有最小维度的第一结构(9a、39a)和至少一个带有最大维度的第二结构(9b、39b)作为接触结构而形成，使得第一结构(9a、39a)的最小维度大于第二结构(9b、39b)的最大维度。

10.如权利要求9所述的太阳能电池生产方法，其特征在于形成金属层(7)和该接触结构包含以下方法步骤：

-对介电层(5)施加至少一层相对于介电层(5)属惰性的金属膏(13)，和至少一层相对于介电层(5)属活性的金属膏(15)，使得相对于介电层(5)属活性的金属膏(15)在相对于介电层(5)属惰性的金属膏(13)中形成至少一个第一区域和/或至少一个第二区域；以及

-进行烧制，使得相对于介电层(5)属活性、形成该第一和/或第二区域的金属膏(15)穿过介电层(5)并形成第一结构(9a)和/或第二结构(9b)。

11.如权利要求9或10所述的太阳能电池生产方法，其特征在于形成该金属层和该接触结构包含以下方法步骤：

-在该介电层中形成适合用于产生该第一结构的至少一个第一孔和/或适合用于产生该第二结构的至少一个第二孔；以及

-以金属膏填充该至少一个第一孔和/或至少一个第二孔并涂覆该介电层；以及

-进行烧制。

12.如权利要求11所述的生产方法，其特征在于该至少一个第一孔和/或该至少一个第二孔是通过激光烧蚀的方式形成的。

13.如前述权利要求中任一项所述的生产方法，其特征在于

-通过LFC（激光烧制触点）的方式产生该第二结构。

14.如前述权利要求中任一项所述的生产方法，其特征在于在金属层(7)背对该半导体晶片的表面上，在平面图中与第一结构(9a)重叠的至少一个区域中施加至少一个连接器(11)。

15.如前述权利要求中任一项所述的生产方法，其特征在于将在至少一个第一结构(39a)中的铝-硅低共晶露出，以及将在第一结构(39a)中的铝-硅低共晶超声波冷焊至相应的连接器(311)。