[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法、以及SiC外延晶片的制造装置

权利要求书

1.一种SiC外延晶片，是在具有偏离角的SiC单晶基板上具有SiC外延层的SiC外延晶片，在所述SiC外延层存在的、以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度为0.5个/cm²以下。

2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片，所述成为起点的材料片由碳或碳化硅形成。

3.一种SiC外延晶片的制造方法，包括：

使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和

对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序，

所述SiC外延晶片的制造装置，具备：基座，其具有载置晶片的晶片载置部；顶板，其与所述基座的上表面相对配置以在与所述基座之间形成反应空间；和遮蔽板，其以阻止堆积物附着在所述顶板的下表面的程度，与所述顶板的下表面接近配置，

所述遮蔽板由碳化硅形成、或者所述遮蔽板的与所述基座相对的面利用碳化硅膜或热分解碳膜被覆。

4.根据权利要求3所述的SiC外延晶片的制造方法，所述测定的结果，在以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度超过规定密度的情况下，交换所述遮蔽板后制造下一个SiC外延晶片。

5.一种SiC外延晶片的制造方法，包括：

使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和

对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序，

所述SiC外延晶片的制造装置，具备：基座，其具有载置晶片的晶片载置部；和顶板，其与所述基座的上表面相对配置以在与所述基座之间形成反应空间，

所述顶板由碳化硅形成、或者所述顶板的与所述基座相对的面利用碳化硅膜或热分解碳膜被覆。

6.根据权利要求5所述的SiC外延晶片的制造方法，所述测定的结果，在以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度超过规定密度的情况下，交换所述顶板后制造下一个SiC外延晶片。

7.一种SiC外延晶片，是采用权利要求3～6的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法制造的。

8.一种外延晶片的制造装置，具备：

基座，其具有载置晶片的晶片载置部；

顶板，其与所述基座的上表面相对配置以在与所述基座之间形成反应空间；和

遮蔽板，其以防止堆积物附着在所述顶板的下表面的程度，与所述顶板的下表面接近配置，

所述遮蔽板由碳化硅形成、或者所述遮蔽板的与所述基座相对的面利用碳化硅膜或热分解碳膜被覆，

所述制造装置一边向腔室内供给原料气体，一边在晶片的面上形成外延层。

9.一种外延晶片的制造装置，具备：

基座，其具有载置所述晶片的晶片载置部；和

顶板，其与所述基座的上表面相对配置以在与所述基座之间形成反应空间，

所述顶板由碳化硅形成、或者所述顶板的与所述基座相对的面利用碳化硅膜或热分解碳膜被覆，

所述制造装置一边向腔室内供给原料气体，一边在晶片的面上形成外延层。

10.根据权利要求8或9的任一项所述的外延晶片的制造装置，所述碳化硅膜或热分解碳膜的膜厚为20～100μm。

11.根据权利要求8或9的任一项所述的外延晶片的制造装置，具有在所述基座的下表面一侧和/或所述顶板的上表面一侧配置的加热单元。