[发明专利]CMP 垫调整器有效
| 申请号： | 201280035966.8 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103688344B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李世珖;李周翰 | 申请（专利权）人： | 二和钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmp 调整器 | ||
1.一种化学机械抛光CMP垫调整器，该CMP垫调整器具有基板及形成于所述基板的至少一个表面上的切削刀片图形，其中，所述切削刀片图形包括：
多个基板刀片部，彼此隔开地形成于所述基板上；及
钻石淀积刀片部，形成于所述多个基板刀片部上。
2.根据权利要求1所述的CMP垫调整器，其中，所述多个基板刀片部的一些基板刀片部形成为具有不同高度。
3.一种CMP垫调整器，所述CMP垫调整器具有基板及形成于所述基板的至少一个表面上的多个切削刀片图形，其中，所述多个切削刀片图形包括：
多个基板刀片部，彼此隔开地形成于所述基板上；及
钻石淀积刀片部，形成于所述多个基板刀片部中的一些基板刀片部上。
4.根据权利要求3所述的CMP垫调整器，其中，
所述多个基板刀片部（可以对一下韩文）形成为具有相同高度，且
所述钻石淀积刀片部具有相同厚度、形成于相邻基板刀片部中的一个基板刀片部上、且不形成于另一个基板刀片部上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP垫调整器，其中，所述基板刀片部借助所述基板上的凹部而彼此分隔。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP垫调整器，其中，所述基板刀片部具有多边形的截面形状。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP垫调整器，其中，所述基板刀片部具有多边形、圆形或椭圆形的平面形状。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP垫调整器，其中，所述钻石淀积刀片部具有1-10μm的厚度。
9.根据权利要求8所述的CMP垫调整器，其中，所述切削刀片图形的上表面（可以根据韩文确定一下）利用包括SiC研磨材料的轮件或包括钻石砂砾的树脂轮修整。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP垫调整器，其中，所述CMP垫调整器进一步包括钻石涂布层，所述钻石涂布层形成于所述基板及所述多个切削刀片图形二者上。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP垫调整器，其中，所述切削刀片图形具有100μm或更小的微细结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于二和钻石工业股份有限公司，未经二和钻石工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
