[发明专利]用于通断电流的电路装置以及用于运行半导体断路器的方法有效
申请号: | 201280035970.4 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN103718462A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 斯文·格迪加;卡斯滕·汉特;赖纳·佐默 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李慧 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 断电 电路 装置 以及 运行 半导体 断路器 方法 | ||
1.一种用于根据能预定的通断信号来通断电流(Ic)的电路装置,所述电路装置包括:
-用于通断所述电流(Ic)的半导体断路器(44)以及
-控制装置(42,78,96,106),所述控制装置设计用于接收所述通断信号并且根据接收到的所述通断信号在所述半导体断路器(44)的控制输入端(50)处产生具有时间变化曲线的控制电压,通过所述时间变化曲线引起,即在通断过程期间所述半导体断路器(44)的、至少一个预确定的运行参数(Uce,max,dIoff/dt,dUoff/dt,dIon/dt,dUon/dt)满足预确定的标准,其中所述标准通过所述控制装置(42,78,96,106)的通断参数(Uce,max,dIoff/dt,dUoff/dt,dIon/dt,dUon/dt)来预定并且在运行所述电路装置期间能够改变所述通断参数(Uce,max,dIoff/dt,dUoff/dt,dIon/dt,dUon/dt)的参数值。
2.根据权利要求1所述的电路装置,其特征在于,通过确定参数值能够为下列运行参数中的至少一个预定标准:
-经过所述半导体断路器(44)的晶体管和/或二极管下降的电压(Uce,max),
-所述电压的时间变化曲线的斜率(dUoff/dt,dUon/dt),
-待通断的所述电流(Ic)的时间变化曲线的斜率(dIoff/dt,dIon/dt)和/或
-对于前述的参数的时间上的平均值。
3.根据权利要求1或2所述的电路装置,其特征在于,通过所述参数值,用于所述运行参数(Uce,max,dIoff/dt,dUoff/dt,dIon/dt,dUon/dt)的极限值或额定值能够预定作为标准。
4.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,测量装置(64,66,80,82,98,100)用于检测至少一个运行参数(Ic,T,Ud),特别是用于检测
-所述半导体断路器(44)的晶体管(46)的温度(T),
-所述半导体断路器(44)的与所述晶体管(46)反并联的二极管(48)的温度,
-流过所述半导体断路器(44)的电流(Ic)的电流强度,
-经过所述半导体断路器(44)下降的电压(Ud)和/或
-对于前述参数的时间上的平均值,
通过所述运行参数描述了所述半导体断路器(44)的运行状态。
5.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,所述控制装置(78,96,106)设计用于根据所述半导体断路器(44)的运行状态特别是在特征变化曲线(76)的基础上独立地确定所述参数值。
6.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,所述控制装置(42)设计用于通过控制线路(54)接收预确定的通断参数(Uce,max,dIoff/dt,dUoff/dt,dIon/dt,dUon/dt)的所述参数值以及一起接收所述通断信号。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电路装置,其特征在于,所述控制装置(42,78,96,106)设计用于通过通断输入端(52)在具有容错的传输协议的基础上接收数字信号和/或通过测量输出端(68)在具有容错的所述传输协议的基础上发送数字信号。
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