[发明专利]自组装层在检查有机晶体管的阈值电压中的用途

权利要求书

1.一种电子装置，所述电子装置包含具有阈值电压V₁的第一有机晶体管，和具有阈值电压V₂的至少一个第二有机晶体管，其中，V₁和V₂彼此相差至少0.2V的数值，第一和第二晶体管各自在介电材料层的顶部包含半导体材料层，其特征在于，之上，所述装置还包括：

－具有一第一偶极矩M1的分子的第一自组装分子层，位于介电材料层和第一有机晶体管的半导体材料层之间，和

－具有第二偶极矩M2的分子的第二自组装分子层，位于介电材料层和第二有机晶体管的半导体材料层之间，且其中

偶极矩M₁和偶极矩M₂之差的绝对值|M₁-M₂|在0.2-10德拜单位之间。

2.一种制造电子电路的方法，所述电子电路包含第一有机晶体管和至少一个第二有机晶体管，所述第一和至少一个第二有机晶体管各自在介电材料层的顶部包含半导体材料层，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

a)在第一晶体管的介电材料层上，形成偶极矩为M₁的分子的自组装层，和

b)在至少一个第二有机晶体管的介电材料层上，形成偶极矩为M₂的分子的自组装层，从而|M₁-M₂|的绝对值在0.2和10德拜单位之间。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

来自第一和至少一个第二有机晶体管的自组装层的分子具有如下的分子式I：

A-D-Z分子式I

其中：

-A为介电材料上的式I分子的接枝基团，优选三卤代硅烷基、三烷氧基硅烷基、羧酸、磷酸、不饱和化合物，优选包含乙烯基或乙炔基，重氮盐、氮化物、自由基引发剂化合物、异氰酸酯，有机锂、有机镁或有机锌类型的基团，或磺酸，

-Z为一包含3-8碳原子的线形、分支或芳香族的末端基团，优选包含至少一个氟原子，

-D为线形或分支、饱和或不饱和的碳链，任选包含环状基团，任选为芳香环，和/或若干杂原子，

并且其中，

第一有机晶体管的自组装层的水接触角度数值和至少一个第二有机晶体管的自组装层的水接触角度数值相差小于5%，优选少于3%。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述的第一和至少一个第二晶体管的介电材料基于二氧化硅、氧化铝或表面氧化的聚合物，且式I分子的接枝基团A为三卤代硅烷基或(C₁－C₄)三烷氧基硅烷基团，优选三甲氧基硅烷、三氯氢硅或三乙氧基硅烷基团。

5.如权利要求2－4中任一项所述的方法，其特征在于，所述基团D包含任选地包含任选取代的芳香核。

6.如权利要求2-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述式I化合物中的末端基团Z选自芳香基团和/或饱和或非饱和的、线形或分支C₃－C₈烷基，任选包含氟原子，Z宜选自叔丁基、异丙基、金刚烷、全氟乙基，苄基或丁基。

7.如权利要求2-6中任一项所述的方法，其特征在于，形成晶体管的自组装层的式I分子具下列分子式I':

其中，R₁,R₂,R₃和R₄各自独立选自受电子基团或供电子基团。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，基团R₁、R₂、R₃和R₄各自独立选自:氢原子、取代的或未取代的C₁-C₁₀烷基、卤素原子、硝基(-NO₂)、酯、酰胺、三氯甲基、二烷基胺、烷氧基、氰基、醛基、酮、羧酸(-COOH)或胺(-NH₂)，优选选自氢原子、硝基和胺基团。

9.如权利要求2-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成晶体管的自组装层的式I分子选自具下列式L、式M和式N的分子：