[发明专利]熔融玻璃搬运设备元件和熔融玻璃搬运设备元件的制造方法以及玻璃制造装置有效
申请号: | 201280036179.5 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN103687821A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 浜岛和雄;丹羽章文 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03B5/43 | 分类号: | C03B5/43;C03B5/187;C03B5/225;C04B35/48 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔融 玻璃 搬运 设备 元件 制造 方法 以及 装置 | ||
技术领域
本发明涉及能够适合用于减压脱泡装置等玻璃制造装置的熔融玻璃搬运设备元件和熔融玻璃搬运设备元件的制造方法以及包含该熔融玻璃搬运设备元件的玻璃制造装置。
背景技术
减压脱泡装置等玻璃制造装置中,要求熔融玻璃的导管的构成材料的耐热性和对熔融玻璃的耐腐蚀性优良。作为满足该要求的材料,使用铂或铂合金(参考专利文献1)。在铂或铂合金制的熔融玻璃的导管的周围以包围该导管的方式配置有隔热砖。
构成导管的铂或铂合金的热膨胀系数与配置在该导管的周围的隔热砖的热膨胀系数不同,因此,加热时的热膨胀量的差和冷却时的收缩量的差成为问题。
为了吸收这样的加热时的热膨胀量的差或冷却时的收缩量的差,在两者之间填充浇注水泥等不定形的陶瓷材料以使产生温度变化时两者能够稍微相对移动。
本申请发明人发现,由于熔融玻璃的导管的配置,有时通过填充不定形的陶瓷材料不能完全吸收加热时的热膨胀量的差或冷却时的收缩量的差。例如,在垂直管与水平管的接合部,不能用不定形的陶瓷材料吸收加热时的热膨胀量的差或冷却时的收缩量的差,可能会在该接合部产生裂纹。如果在接合部产生裂纹,则会存在由于从该裂纹漏出的熔融玻璃而使配置在周围的隔热砖被侵蚀的问题。由此,存在因修复施工导致生产率降低、设备寿命缩短等问题。
为了解决这样的问题,本申请发明人提供了专利文献2记载的熔融玻璃搬运设备元件和玻璃制造装置。
专利文献2记载的熔融玻璃搬运设备元件中,在铂或铂合金制的熔融玻璃的导管的周围配置线性热膨胀系数与构成该导管的铂或铂合金基本一致的陶瓷结构体,由此使加热时的热膨胀量的差或冷却时的收缩量的差变得极小。因此,可防止由于加热时的热膨胀或冷却时的收缩而在垂直管与水平管的接合部产生裂纹。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-87826号公报
专利文献2:国际公开第2010/067669号
发明内容
发明所要解决的问题
专利文献2记载的熔融玻璃搬运设备元件中,通过在铂或铂合金制的导管与陶瓷结构体之间设置间隙,能够吸收两者之间的加热时的热膨胀或冷却时的收缩的时间差,能够防止在接合部产生裂纹,但存在这样的间隙时,也可能使导管变形而破损。
专利文献2记载的熔融玻璃搬运设备元件中,认为铂或铂合金制的导管在使用时具有充分的强度,但也存在由于在高温环境下使用所导致的导管的材料的劣化等而使导管的强度降低的可能。另外,有时会由于熔融玻璃搬运设备元件的使用方式的变化、例如用搅拌器等对通过导管内部的熔融玻璃进行搅拌而使由熔融玻璃施加的膨胀压力增加。结果,导管的强度相对于由熔融玻璃施加的膨胀压力而言变得不充分,可能使导管变形而破损。
为了防止导管的变形,在导管的周围不留间隙地配置陶瓷结构体即可,但有时会由于导管的配置或导管的形状而难以在导管的周围不留间隙地配置陶瓷结构体。例如,在垂直管与水平管的接合部,难以在导管的周围不留间隙地配置陶瓷结构体。另外,日本再表2004-070251号公报中公开了为了吸收由热引起的伸缩而设置有在周向上360度连续的至少一个凸部的铂或铂合金制的中空管。另外,日本特开2006-315894号公报中公开了为了防止长期使用时由于施加热应力或来自外部的应力使导管破损而沿轴向交替设置有在周向上360度连续的凸部和凹部的铂或铂合金制的中空管,但难以在这种设置有凸部、凹部的导管的周围不留间隙地配置陶瓷结构体。
为了解决上述的现有技术的问题,本发明的目的在于提供具有防止因加热时的热膨胀或冷却时的收缩而引起的导管的裂纹并防止因由熔融玻璃施加的膨胀压力而引起的导管的变形、并且即使由于某些理由使熔融玻璃漏出也难以被侵蚀的陶瓷结构体的熔融玻璃搬运设备元件和熔融玻璃搬运设备元件的制造方法以及包含该熔融玻璃搬运设备元件的玻璃制造装置。
用于解决问题的手段
为了达成上述目的,本发明提供一种熔融玻璃搬运设备元件的制造方法,所述熔融玻璃搬运设备元件具有:包含至少一个包含铂或铂合金的导管的熔融玻璃用导管结构体、配置在该导管周围的第一陶瓷结构体和位于该第一陶瓷结构体周围的第二陶瓷结构体,所述制造方法中,
通过向所述导管与所述第二陶瓷结构体的间隙内填充浆体并在1200~1700℃的温度下使其烧结而形成所述第一陶瓷结构体,
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