[发明专利]半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件、以及太阳能电池

权利要求书

1.一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，

所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子，

所选的金属原子用于使所述杂质扩散层中的应变松弛，

具有高杂质浓度的所述杂质扩散层形成于半导体基板的电极形成预定区域，具有低杂质浓度的所述杂质扩散层形成于半导体基板的受光区域，

选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子包含于具有高杂质浓度的所述杂质扩散层，

选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子不包含于具有低杂质浓度的所述杂质扩散层。

2.如权利要求1所述的半导体基板，其中，所述杂质扩散层的表面的所述金属原子的含量为1×1017atoms/cm3以上。

3.如权利要求1或2所述的半导体基板，其中，所述n型杂质原子为选自磷P及锑Sb中的至少一种。

4.如权利要求1或2所述的半导体基板，其中，所述p型杂质原子为选自硼B及镓Ga中的至少一种。

5.如权利要求1或2所述的半导体基板，其中，所述杂质扩散层包含n型杂质原子且通过对被赋予到所述半导体层的至少一个面上的玻璃粉末进行热处理而形成，

所述玻璃粉末包含含有n型杂质的物质和玻璃成分物质，

所述含有n型杂质的物质选自P2O3、P2O5及Sb2O3中的至少一种，

所述玻璃成分物质选自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及MoO3中的至少一种。

6.如权利要求1或2所述的半导体基板，其中，所述杂质扩散层包含p型杂质原子且通过对被赋予到所述半导体层的至少一个面上的玻璃粉末进行热处理而形成，

所述玻璃粉末包含含有p型杂质的物质和玻璃成分物质，

所述含有p型杂质的物质选自B2O3及Ga2O3中的至少一种，

所述玻璃成分物质选自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及MoO3中的至少一种。

7.一种太阳能电池元件，其具备权利要求1～6中任一项所述的半导体基板、和配置在所述杂质扩散层上的电极。