[发明专利]使用具有等离子体蚀刻的混合式电流激光划线制程的晶片切割

权利要求书

1.一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含多个集成电路，所述方法包含以下步骤：

在所述半导体晶片上形成掩模，所述掩模包含覆盖及保护所述多个集成电路的层；

以电流激光划线制程图案化所述掩模，以提供具有多个间隙的图案化掩模，而在所述多个集成电路间露出所述半导体晶片的多个区域；以及

经由所述图案化掩模的所述多个间隙来蚀刻所述半导体晶片，以单粒化所述多个集成电路。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述电流激光划线制程图案化所述掩模的步骤包含同时移动平台和激光光束或光点，所述平台支撑所述半导体晶片。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，同时移动所述平台和所述激光光束或光点的步骤包含沿着第一轴移动所述平台，以及以沿着第二垂直轴移动的所述激光光束或光点进行激光剥离。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，同时移动所述平台和所述激光光束或光点的步骤包含沿着轴移动所述平台，以及以沿着所述轴移动的所述激光光束或光点进行激光剥离。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，同时移动所述平台和所述激光光束或光点的步骤包含沿着轴并以约600毫米/秒至2米/秒的平均划线速度，移动所述平台及进行激光剥离。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述电流激光划线制程图案化所述掩模的步骤包含迭接移动平台和激光光束或光点，所述平台支撑所述半导体晶片。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，迭接移动所述平台和所述激光光束或光点的步骤包含把划线区预先定义成多个区块，在第一区块内，以沿着两轴移动的所述激光光束或光点进行激光剥离，接着将所述平台移动到第二区块，随后在所述第二区块内，以沿着两轴移动的所述激光光束或光点进行激光剥离。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述电流激光划线制程图案化所述掩模的步骤包含使用基于飞秒的激光。

9.一种用于切割半导体晶片的系统，所述半导体晶片包含多个集成电路，所述系统包含：

工作接口；

激光划线设备，所述激光划线设备耦接所述工作接口且包括激光，所述激光具有移动激光光束或光点、移动平台和一或更多电流镜；以及

等离子体蚀刻腔室，所述等离子体蚀刻腔室耦接所述工作接口。

10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述移动激光光束或光点是约10兆赫兹频率激光。

11.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述移动激光光束或光点是飞秒脉冲激光光束或光点。

12.一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含多个集成电路，所述方法包含以下步骤：

在硅基板上形成聚合物层，所述聚合物层覆盖及保护置于所述硅基板上的多个集成电路，所述多个集成电路包含二氧化硅层和铜层，所述二氧化硅层置于低介电常数（K）材料层上；

以电流激光划线制程图案化所述聚合物层、所述二氧化硅层、所述低K材料层和所述铜层，以在所述多个集成电路间露出所述硅基板的多个区域；以及

经由多个间隙蚀刻所述硅基板，以单粒化所述多个集成电路。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，以所述电流激光划线制程图案化所述聚合物层、所述二氧化硅层、所述低K材料层和所述铜层包含同时移动平台和激光光束或光点，所述平台支撑所述硅基板。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，同时移动所述平台和所述激光光束或光点的步骤包含沿着第一轴移动所述平台，以及以沿着第二垂直轴移动的所述激光光束或光点进行激光剥离。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，同时移动所述平台和所述激光光束或光点的步骤包含沿着轴移动所述平台，以及以沿着所述轴移动的所述激光光束或光点进行激光剥离。