[发明专利]存储器单元及存储信息的方法

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括：

沟道支撑材料；

介电材料，其在所述沟道支撑材料上方；

载流子捕获材料，其在所述介电材料上方；所述载流子捕获材料包括镓、铟、锌及氧；及

导电电极材料，其在所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电电极材料包括金属。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述载流子捕获材料直接抵靠于所述介电材料。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电电极材料为第二导电材料，且所述存储器单元进一步包括介于所述载流子捕获材料与所述介电材料之间的第一导电材料。

5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中所述第一导电材料包括金属。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述沟道支撑材料包括镓、铟、锌及氧。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述沟道支撑材料包括半导体材料。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述沟道支撑材料包括石墨烯。

9.一种存储器单元，其包括：

沟道支撑材料；

介电材料，其在所述沟道支撑材料上方；

第一含金属的材料，其在所述介电材料上方且直接抵靠于所述介电材料；

载流子捕获材料，其在所述第一含金属的材料上方且直接抵靠于所述第一含金属的材料；所述载流子捕获材料包括镓、铟、锌及氧；及

第二含金属的材料，其在所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述第一含金属的材料、所述载流子捕获材料与所述第二含金属的材料一起形成具有实质上垂直侧壁的堆叠，所述实质上垂直侧壁从所述介电材料的上表面延伸到所述第二含金属的材料的上表面。

11.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述介电材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铪及氧化锆中的一者或一者以上。

12.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述载流子捕获材料掺杂有氢。

13.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述沟道支撑材料包括镓、铟、锌及氧。

14.一种存储信息的方法，其包括：

提供存储器单元，所述存储器单元包括沟道支撑材料、所述沟道支撑材料上方的介电材料、所述介电材料上方的载流子捕获材料及所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料的导电电极材料；其中所述载流子捕获材料包括镓、铟、锌及氧；及

确定是否在所述载流子捕获材料中捕获载流子以借此确认所述存储器单元的存储器状态。

15.一种存储信息的方法，其包括：

提供存储器单元，所述存储器单元包括沟道支撑材料、所述沟道支撑材料上方的介电材料、所述介电材料上方的载流子捕获材料及所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料的导电电极材料；其中所述载流子捕获材料包括镓、铟、锌及氧；所述载流子捕获材料与所述导电电极材料一起形成二极管结；

跨所述存储器单元提供第一电场，所述第一电场使所述二极管结逆向偏压以将载流子注入所述载流子捕获材料中且借此将所述存储器单元置于第一存储器状态中；及

跨所述存储器单元提供第二电场，所述第二电场使所述二极管结正向偏压且使所述载流子从所述载流子捕获材料去捕获以借此将所述存储器单元置于第二存储器状态中。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电电极在所述第一电场下带负电荷。

17.一种存储信息的方法，其包括：

提供存储器单元，所述存储器单元包括沟道支撑材料、所述沟道支撑材料上方的介电材料、所述介电材料上方的第一含金属的材料、所述第一含金属的材料上方且直接抵靠于所述第一含金属的材料的载流子捕获材料，及所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料的第二含金属的材料；其中所述载流子捕获材料包括镓、铟、锌及氧；及

确定是否在所述第一含金属的材料中捕获载流子以借此确认所述存储器单元的存储器状态。