[发明专利]用于选择性氮化工艺的方法与设备

权利要求书

1.一种远程等离子体系统，包括：

远程等离子体腔室，所述远程等离子体腔室界定第一区，所述第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体；

处理腔室，所述处理腔室界定第二区，所述第二区用于处理半导体器件，所述处理腔室包括进入口端口，所述进入口端口形成在所述处理腔室的侧壁中，所述进入口端口与所述第二区流体连通；及

输送构件，所述输送构件用于从所述远程等离子体腔室输送等离子体物种至所述处理腔室，所述输送构件包括主体，所述主体在所述主体中界定纵向延伸通道，所述主体具有连接至所述第一区的第一端以及连接至所述第二区的第二端，所述第二端与所述第一端相对，其中所述通道耦接至所述处理腔室的所述进入口端口，以致所述通道的纵轴相对于所述进入口端口的纵轴以一角度相交。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述输送构件进一步包括凸缘，所述凸缘在所述第二端处围绕所述主体的外表面延伸，所述凸缘的表面与所述处理腔室的侧壁的表面实质上齐平。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述角度在约20度与约80度之间的范围中。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述通道的长度在约5英寸与约25英寸之间。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述通道的直径在约0.5英寸与约2英寸之间的范围中。

6.一种远程等离子体系统，包括：

远程等离子体腔室，所述远程等离子体腔室界定第一区，所述第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体；

处理腔室，所述处理腔室界定第二区，所述第二区用于处理半导体器件，所述处理腔室包括进入口端口，所述进入口端口形成在所述处理腔室的侧壁中，所述进入口端口与所述第二区流体连通；及

输送构件，所述输送构件设置于所述远程等离子体腔室与所述处理腔室之间，且所述输送构件具有通道，所述通道与所述第一区和所述进入口端口流体连通，所述输送构件被配置以致所述通道的纵轴相对于所述进入口端口的纵轴以约20度至约80度的角度相交。

7.如权利要求6所述的系统，其中所述输送构件进一步包括：

凸缘，所述凸缘围绕所述输送构件的外表面延伸，所述凸缘的表面与所述侧壁的表面实质上齐平。

8.如权利要求6所述的系统，其中所述通道的长度在约5英寸与约25英寸之间。

9.如权利要求6所述的系统，其中所述通道的直径在约0.5英寸与约2英寸之间的范围中。

10.如权利要求6所述的系统，进一步包括：

离子过滤器，所述离子过滤器设置于所述远程等离子体腔室与所述处理腔室之间。

11.一种用于在处理腔室的处理区中处理半导体器件的方法，所述方法包括：

从远程等离子体源产生并流动等离子体物种至具有纵向通道的输送构件；

从所述通道流动等离子体物种至形成在所述处理腔室的侧壁中的进入口端口，其中将所述等离子体物种以一角度流动进入所述进入口端口，以促进所述等离子体物种中离子的碰撞或离子与电子或带电颗粒的反应，以致在所述离子进入所述处理腔室的所述处理区之前从所述等离子体物种实质上消除离子；及

将来自所述等离子体物种的原子游离基团选择性地并入所述半导体器件的硅或多晶硅区中。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述输送构件设置在所述远程等离子体源与所述处理腔室之间。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述输送构件被配置以致所述通道的纵轴相对于所述进入口端口的纵轴以约20度至约80度的角度相交。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述通道的长度在约5英寸与约25英寸之间。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述通道的直径在约0.5英寸与约2英寸之间的范围中。