[发明专利]用于改良的浸透性能的具有涂层的基板支撑边缘环在审
申请号: | 201280037011.6 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN103718283A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改良 浸透 性能 具有 涂层 支撑 边缘 | ||
1.一种基板支撑环,包括:
环状主体,包括:
外条带,所述外条带从外环状侧壁径向向内延伸;以及
基板支撑区域,所述基板支撑区域从所述外条带的内侧部分向内延伸,其中所述环状主体包括暴露的第一材料,且所述基板支撑区域的至少一部分被涂层覆盖,所述涂层包括不同于所述第一材料的第二材料。
2.如权利要求1所述的环,其中所述第一材料包括碳化硅。
3.如权利要求2所述的环,其中所述第二材料包括耐火材料。
4.如权利要求3所述的环,其中所述耐火材料选自由陶瓷材料、蓝宝石以及碳材料构成的组。
5.如权利要求3所述的环,其中所述耐火材料选自由氧化物膜、氮化物膜和上述膜的组合构成的组。
6.如权利要求5所述的环,其中所述耐火材料选自由氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO)、二氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化钍(ThO2)、氧化钪(Sc2O3)、稀土氧化物、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)和上述材料的组合构成的组。
7.如权利要求1所述的环,其中所述外条带包括硅膜,所述硅膜选自由非晶硅、单晶硅和多晶硅构成的组。
8.如权利要求7所述的环,其中所述硅膜包括第一硅层、氧化物层以及配置于所述氧化物层上的第二硅层。
9.一种基板支撑环,包括:
环状主体,所述环状主体包括陶瓷材料,所述环状主体包括:
第一环状侧壁;
外条带,所述外条带从所述第一环状侧壁径向向外延伸;
第二环状侧壁,所述第二环状侧壁耦接至所述外条带;以及
内唇部,所述内唇部从所述第一环状侧壁径向向内延伸,所述内唇部包括基板支撑区域,其中所述基板支撑区域由包括耐火材料的膜构成。
10.如权利要求9所述的环,其中所述耐火材料选自由陶瓷材料、蓝宝石以及碳材料构成的组。
11.如权利要求10所述的环,其中所述耐火材料选自由氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO)、二氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)和上述材料的组合构成的组。
12.如权利要求10所述的环,其中所述耐火材料包括莫氏硬度表(Mohs scale)上7或更大的硬度。
13.如权利要求9所述的环,其中所述硅膜包括选自由非晶硅、单晶硅和多晶硅构成的组的膜。
14.如权利要求9所述的环,其中所述硅膜包括第一硅层、氧化物层以及配置于所述氧化物层上的第二硅层。
15.如权利要求9所述的环,其中所述环状主体包括下表面,所述下表面具有配置于所述下表面上的膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280037011.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种地基处理新方法
- 下一篇:一种新型帐篷支架节点连接结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造