[发明专利]用于使涂层沉积在装置上的改进的沉积技术

权利要求书

1.一种适合于在装置结构上沉积涂层的沉积方法，所述方法包括：

提供将在其内沉积所述涂层的加工室；

向所述加工室提供一种或多种前体材料的蒸气；以及

向所述加工室提供一种或多种反应物材料的蒸气；

其中在所述加工室内形成沉积蒸气，所述沉积蒸气包括的所述反应物材料和所述前体材料的体积比率大于6:1。

2.根据权利要求1所述的沉积方法，其中所述反应物材料和所述前体材料的所述体积比率大于或等于10:1。

3.根据权利要求1所述的沉积方法，其中所述反应物材料和所述前体材料的所述体积比率大于或等于50:1。

4.根据权利要求1所述的沉积方法，其中所述反应物材料和所述前体材料的所述体积比率大于或等于100:1。

5.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中在所述加工室内的操作压力大于10托。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积方法，其中操作压力大于或等于40托。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积方法，其中所述操作压力大于或等于100托。

8.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中通过从所述加工室外部运输所述一种或多种前体材料的蒸气，向所述加工室提供所述一种或多种前体材料的蒸气。

9.根据权利要求8所述的沉积方法，其中通过使载气穿过一个或多个鼓泡室，将所述一种或多种前体材料的蒸气运输至所述加工室。

10.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中通过从所述加工室外部运输所述一种或多种反应物材料的蒸气，向所述加工室提供所述一种或多种反应物材料的蒸气。

11.根据权利要求10所述的沉积方法，其中通过使载气穿过一个或多个鼓泡室，将所述一种或多种反应物材料的蒸气运输至所述加工室。

12.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述一种或多种前体材料包括全氟癸基三氯硅烷（FDTS）。

13.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述一种或多种前体材料包括选自包括以下的前体材料的组的前体材料：二氯二甲基硅烷（DDMS）、十八烷基三氯硅烷（OTS）、1-十八烯、四氢辛基三氯硅烷（FOTS）、四氢辛基三乙氧基硅烷（FOTES）、四氢辛基甲基二氯硅烷（FOMDS）和六甲基二硅氮烷（HDMS）。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的沉积方法，其中所述一种或多种前体材料包括具有亲水有机部分或生物活性有机部分的前体材料。

15.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述一种或多种反应物材料包括水（H2O）。

16.根据权利要求9、权利要求11或当从属于权利要求9或权利要求11时权利要求12至14中任一项所述的沉积方法，其中所述载气为惰性气体比如氮气或基于氮的气体。

17.根据权利要求9、权利要求11或当从属于权利要求9或权利要求11时权利要求12至14中任一项所述的沉积方法，其中所述载气包括氦气。

18.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，还包括清洁和/或离子化所述微机电结构（MEMS）。

19.根据权利要求18所述的沉积方法，其中在向所述加工室提供所述一种或多种前体材料的蒸气和提供所述一种或多种反应物材料的蒸气之前，在所述加工室内发生所述微机电结构（MEMS）的所述清洁和/或离子化。

20.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，还包括加热一条或多条蒸气供应线。

21.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述涂层包括自组装单层（SAM）涂层。

22.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述装置包括微机电结构（MEMS）。

23.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述装置包括半导体结构。

24.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述装置包括移动装置。

25.根据任一前述权利要求所述的沉积方法，其中所述装置包括织物或布。