[发明专利]在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法

权利要求书

1.一种在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法，所述方法包括以下步骤：

设置装在衬托器中的多个第一硅衬底，所述衬托器组装在衬底载体中，所述衬底载体配置成保持具有沉积表面的所述硅衬底，所述沉积表面平行且在气体流道的任一侧上对置，以使所述硅衬底的对置表面暴露于前体气体；

使硅前体气体在所述硅衬底的表面上流动，所述流动平行于所述衬底的表面，所述流动在位于所述衬底载体的相对端的第一和第二气体歧管之间是线性的；以及

在前体气体流经所述流道时，加热所述衬底载体，以使前体气体在所述衬底的表面上分解；

其中所述衬底载体具有两个平行的端盖，所述端盖在与气流垂直的方向上限定所述流道的范围。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅衬底包括位于所述前体气体所流经的表面之上的剥离层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底载体包括在所述衬底的外围并沿与穿过所述气体流道的气流的方向平行的方向延伸的热反射器。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括分开地加热所述衬底载体的端盖。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述加热来自线性加热灯，所述加热灯定位在所述衬底载体的任一侧上，并与所述端盖邻接及对齐。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括加热所述第一和第二气体歧管。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述加热来自线性加热灯，所述加热灯定位在所述衬底载体的任一侧上，并与所述第一和第二气体歧管邻接及对齐。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述气体歧管包括用于使气体入口与气体出口隔离开的分隔板。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述气体歧管的气体入口包括用于确保输送入所述气体流道中的所述前体气体的均匀性的气体扩散板。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述气体歧管包括用于增加流经所述歧管的前体气体的通道长度的阻挡件。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底载体包括位于与所述气体歧管的界面之处的热阻挡件，所述热阻挡件在所述气体歧管和所述衬底载体之间提供一些热绝缘。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底载体包括配置成保持多个第二硅衬底的内部衬托器，所述内部衬托器将所述气体流道分成两个平行气体通道，所述多个第二硅衬底的表面与所述多个第一硅衬底的表面平行。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：所述衬底载体包括在所述第一和第二气体歧管以及所述衬托器之间的第一和第二气体分布通道，用于将所述气流分入所述两个气体流道中。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于：还包括加热所述第一和第二气体分布通道。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述加热来自线性加热灯，所述加热灯定位在所述衬底载体的任一侧上，并与所述第一和第二气体分布通道邻接及对齐。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述第一和第二气体分布信道包括布置有功能部件的通道，所述功能部件用于增强对流过所述通道的所述气体的热传递。

17.如权利要求12所述的方法，其特征在于：所述内部衬托器将硅衬底保持在所述内部衬托器的两侧上，其中每一个所述多个第二硅衬底仅暴露于所述两个平行气体通道中的一个。

18.如权利要求12所述的方法，其特征在于：每一个所述多个第二硅衬底具有暴露于所述两个平行气体信道中的第一个的第一沉积表面以及暴露于所述两个平行气体信道中的第二个的第二沉积表面。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括将所述第一和第二歧管密封到所述衬底载体，其中所述第一和第二歧管具有连续密封隆起部，所述衬底载体具有相应的连续容纳槽道，以及其中，所述密封隆起部和所述容纳槽道具有倾斜侧，用于当将所述歧管和所述衬底载体放在一起时在所述歧管和所述衬底载体之间提供对准容差。