[发明专利]半导体裸片组合件、包含所述半导体裸片组合件的半导体装置及制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体裸片组合件的方法，其包括：

将多个横向间隔的半导体裸片固定到基底晶片；

将至少两个半导体裸片安置于所述多个横向间隔的半导体裸片中的每一半导体裸片之上以形成堆叠且将堆叠中的所述半导体裸片的导电穿孔与延伸于其之间的导电元件连接；

将电介质材料提供于堆叠中的所述半导体裸片之间；

使用在所述半导体裸片堆叠之间及周围的囊封剂材料来大体上同时囊封所述基底晶片上的所述半导体裸片堆叠中的每一者的至少一个周边；及

穿过所述半导体裸片堆叠之间的所述囊封剂材料将所述半导体裸片堆叠及所述基底晶片单体化。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将电介质材料形成于所述基底晶片的表面之上；

以与所述横向间隔的半导体裸片的导电穿孔的图案对准的图案将多个导热元件形成于所述电介质材料之上；及

放置所述导热元件使其与所述多个横向间隔的半导体裸片的半导体裸片的所述导电穿孔接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用裸片附着薄膜及可流动的电介质材料中的一者将所述多个横向间隔的半导体裸片固定到所述基底晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用焊料回焊、热压接合及超声波接合中的一者将所述至少两个半导体裸片彼此连接且连接到所述多个横向间隔的半导体裸片中的一半导体裸片。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将至少两个半导体裸片堆叠在固定到所述基底晶片的所述多个横向间隔的半导体裸片中的每一半导体裸片之上包括：堆叠具有从其表面延伸的导电元件的至少两个半导体裸片。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括放置所述多个横向间隔的半导体裸片中的多个半导体裸片使其至少部分进入所述基底晶片中的横向间隔的凹口中。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述多个横向间隔的半导体裸片中的多个半导体裸片放置在所述基底晶片上，其中所述半导体裸片的导电元件至少部分接纳于所述基底晶片中对应的多个凹口中。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括定向堆叠中的每一半导体裸片，其中所述半导体裸片的有源表面面向共同方向。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括定向堆叠中的每一半导体裸片，其中有源表面面向所述基底晶片。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在穿过所述囊封剂材料及穿过所述基底晶片将所述半导体裸片堆叠单体化之前：

薄化所述基底晶片；

对每一裸片堆叠进行测试；及

标记如通过测试确定的良好的裸片堆叠位置。

11.根据权利要求1所述的方法，其中将多个横向间隔的半导体裸片固定到基底晶片包括将多个半导体裸片固定到其上不具有集成电路的基底晶片。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在穿过所述囊封剂材料及穿过所述基底晶片在半导体裸片堆叠之间切断之前：

使到离所述基底晶片最远的半导体裸片的导电穿孔的接点至少部分不含囊封剂材料；

形成再分布电路，所述再分布电路包含用于测试的与堆叠中离所述基底晶片最远的每一半导体裸片的背侧上的导电穿孔相连通的若干垫；

在堆叠中离所述基底晶片最远的每一半导体裸片的背侧上施加钝化且使到其所述导电穿孔的所述垫及所述接点暴露；及

在到所述导电穿孔的接点之上形成外部连接导电元件且使所述外部连接导电元件连接到所述接点。

13.一种形成半导体裸片组合件的方法，其包括：

将具有导电穿孔的多个横向间隔的半导体裸片固定到基底晶片，所述基底晶片具有从其突出与所述导电穿孔对准的导热元件；

将多个半导体裸片堆叠在所述多个横向间隔的半导体裸片中的每一半导体裸片之上且将堆叠的半导体裸片的导电穿孔与延伸于其之间的导电元件连接；

将电介质材料引入于所述半导体裸片之间；

使用在所述半导体裸片之间及周围的囊封剂材料来大体上同时囊封所述基底晶片上的所述半导体裸片的至少一个周边；及

穿过所述囊封剂材料及穿过所述基底晶片在半导体裸片堆叠之间切断。